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本文为日本名城大学hiroshi amno教授关于《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》的一篇精彩演讲的演讲稿件,现在共享与此,提供给大家参考阅读。
https://www.alighting.cn/resource/20120326/126644.htm2012/3/26 14:09:45
《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》内容:lain-aigan-gan,研究动机,材料的生长和表征;gan-ingan材料,研究动机,材料的生长和表征,在沟槽gan模板层上生
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15
众所周知,绿光LED的性能水平达不到同等红光和蓝光LED。但可以通过降低电流密度、使用一个更大的芯片以及优化生长条件来减少黑点,能够尽可能缩小在100ma驱动电流条件下,达到19
https://www.alighting.cn/resource/20140117/124895.htm2014/1/17 16:05:30
文章简要介绍了ssl 技术的材料物理基础以及器件的基本光电参数特征袁在此基础上回顾了该技术发展历程的关键节点遥针对该技术核心应用领域要要固态节能照明发展的需要袁对未来技术发展趋势也
https://www.alighting.cn/2014/10/9 10:15:47
发光二极管(LED)低的外量子效率严重制约了LED 的发展,本文主要介绍了提高gan 基LED 外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术,分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
在si衬底gan基垂直结构LED的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
为了简化分析过程,进一步理清涉及到LED芯粒本身的失效机理,本文对所取样的LED芯粒仅进行简单的金胶固定。本文从外延角度出发,通过研究不同波段的gan LED在加速电流应力条件下
https://www.alighting.cn/resource/20150320/123443.htm2015/3/20 11:09:20
LED方面,发表了利用非极性面中的m面的蓝色LED(演讲序号:t2)。如果将阱层厚8nm、势垒层厚18nm的量子阱的发光层进行6次层迭(即形成6层),20ma驱动时,光输出功率
https://www.alighting.cn/resource/20071003/128538.htm2007/10/3 0:00:00
2007年5月1日,加州大学圣巴巴拉分校(ucsb)非极性gan材料研究小组(由中村修二[shuji nakamura]和steven denbaars 领导)制造的蓝紫
https://www.alighting.cn/resource/20070508/128492.htm2007/5/8 0:00:00
蓝光、绿光LED焊接要求与白光LED相同,以一般白光LED焊接的水准来看,而有这样的基本要求,操作需要注意。蓝光、绿光LED焊接要求与白光LED相同,以一般白光LED焊接的水准来
https://www.alighting.cn/resource/20101122/128214.htm2010/11/22 11:45:33