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白皮书 | led技术现状、应用情况及趋势展望

led产业在过去近10年的发展突飞猛进,led光源器件的性能呈台阶式上升且成本在不断下降,大部分光源领域基本上都被led所取代。那么,目前led技术、市场现状以及未来发展趋

  https://www.alighting.cn/news/20181227/159634.htm2018/12/27 10:15:52

国内最大碳化基地正式投产 ,总投资50亿元

8日消息,据报道,投资50亿元,建设用地约1000亩的中国电科(山西)电子信息科技创新产业园在山西转型综改示范区正式投产。

  https://www.alighting.cn/news/20200310/167006.htm2020/3/10 9:40:05

瑞萨电子推出三款碳化(sic)复合功率器件

半导产品系列。碳化是一种能有效降低损耗的新材

  https://www.alighting.cn/pingce/20120210/122670.htm2012/2/10 18:39:25

晶能光电:大尺寸氮化镓基led

讲。为让网友深入了解晶能光电发展近况以及未来战略布局,新世纪led网记者独家专访了晶能光电有限公司led研发副总裁孙钱博

  https://www.alighting.cn/news/20130531/85317.htm2013/5/31 14:12:14

不同基板1w蓝光led老化性能研究

(si)上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对

  https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00

2013ls:晶能-上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由晶能光电(江西)有限公司的孙钱/博士、外延研发副总裁主讲的关于介绍《上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资

  https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07

温度对al_2o_3(0001)表面外延6h-sic薄膜的影响

采用固源分子束外延技术,以α-al2o3(0001)为,在不同温度下制备了6h-sic薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、x射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127221.htm2011/8/31 16:05:19

cree与安森美半导签署sic晶圆片多年期供应协议

昨(7)日,科锐(cree)宣布与安森美半导(on semiconductor)签署多年期协议,将为安森美半导生产和供应wolfspeed碳化(sic)晶圆片。

  https://www.alighting.cn/news/20190808/163734.htm2019/8/8 9:31:44

牺牲ni退火对gan基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

“新型半导材料”助力照明行业 可实现能耗减半

能耗减半的关键点是采用半导材料碳化(sic)与基氮化镓(gan-on-si),凭借这些材料的电子属性可设计出紧凑且高效的功率电子电路。目前英飞凌已在其jfet和600v

  https://www.alighting.cn/news/20140703/105266.htm2014/7/3 9:01:01

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