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cree与安森美半导签署sic晶圆片多年期供应协议

昨(7)日,科锐(cree)宣布与安森美半导(on semiconductor)签署多年期协议,将为安森美半导生产和供应wolfspeed碳化(sic)晶圆片。

  https://www.alighting.cn/news/20190808/163734.htm2019/8/8 9:31:44

牺牲ni退火对gan基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

“新型半导材料”助力照明行业 可实现能耗减半

能耗减半的关键点是采用半导材料碳化(sic)与基氮化镓(gan-on-si),凭借这些材料的电子属性可设计出紧凑且高效的功率电子电路。目前英飞凌已在其jfet和600v

  https://www.alighting.cn/news/20140703/105266.htm2014/7/3 9:01:01

cree在奥尔巴尼完成第一批碳化测试晶片

cree和纽约研究,经济进步,技术,工程与科学中心(又称纽约州creates)上周联手在奥尔巴尼纽约州立大学理工学院完成了第一批碳化测试晶片。新工厂将成为世界上第一个生产20

  https://www.alighting.cn/news/20191101/164814.htm2019/11/1 9:56:26

cree成为大众汽车集团fast项目sic碳化独家合作伙伴

2019年5月14日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – cree, inc. (nasdaq: cree) 作为sic碳化半导的全球引领者,成为大众汽车集团(volkswage

  https://www.alighting.cn/news/20190515/161917.htm2019/5/15 13:46:06

sigan基蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μmgan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.

  https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36

转移基板材质对sigan基led芯片性能的影响

在si上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。

  https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36

led三分天下,谁将独领风骚?

今年,随着技术的不断发展,sic、蓝宝石、这三种不同的led芯片技术路线早已摆开阵势,以高技术含量与低成本为噱头,展开激烈交锋。在这场技术大战中,谁会成为赢家,最终主

  https://www.alighting.cn/news/20120521/89252.htm2012/5/21 13:36:20

科锐升级供gan-on-sic hemt器件的工艺设计套件

计自动化工具),以实现科锐碳化氮化镓 mmic 加工性

  https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18

科锐推最新低基面位错100毫米4h碳化外延片

科锐功率器件与射频(rf)首席技术官 john palmour 表示:“碳化双极型(bipolar)器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用

  https://www.alighting.cn/news/20120919/113213.htm2012/9/19 15:00:25

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