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led技术:外延生长基本原理

外延生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基(主要有红宝石和sic两种)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延生长技

  https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00

好消息:中国第一大尺寸940nmvcsel外延实现量产

中国第一自主知识产权4英寸940nm vcsel垂直腔面发射激光器外延在中科芯电量产试制成功,近日将迅速送到台湾地区和内地下游厂家进行流测试。

  https://www.alighting.cn/news/20171229/154556.htm2017/12/29 9:36:36

led的外延生长技术介绍

技术与设备是外延制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(metal-organicchemicalvapordeposition,简称 mocvd)技术生长iii-v

  https://www.alighting.cn/news/2009118/V21609.htm2009/11/8 15:37:27

三安发布9款新品 预估明年led外延产量达1000万

9月6日 三安光电在深圳举办新产品推介会,推介会上共推出9款新产品,适用于电视背光、照明、植物生长等领域。据悉,目前三安光电年产led外延达580万、芯1280亿粒,总产

  https://www.alighting.cn/news/201297/n677043220.htm2012/9/7 11:05:09

[外延]movcd生长氮化物外延层的方法

一种用movcd生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延的方法,它采用mocvd技术

  https://www.alighting.cn/news/2009111/V21470.htm2009/11/1 12:55:15

gan外延的主要生长方法

备一般不出售。1)ingaalpingaalp化合物半导体是制造红色和黄色超高亮度发光二极管的最佳材料,ingaalp外延制造的led发光波段处在550~650nm之间,这

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

台湾公司努力提高外延生产能力

目前,台湾公司为了扩大led产量和其它产品的生产需要正迅速地购买mocvd设备,如组建于1999年的led制造商——南方外延(south epitaxy)公司从美国设备供应

  https://www.alighting.cn/news/20051212/101770.htm2005/12/12 0:00:00

新纳晶光电首批“氮化镓led外延”批量试制成功

日前,苏州新纳晶光电有限公司宣布首批“氮化镓led外延”等产品批量试制成功。“氮化镓led外延”是以氮化镓为原料采用纳米技术制成,厚度仅几微米,每个“玻璃”可切割成2万个

  https://www.alighting.cn/pingce/20111115/122867.htm2011/11/15 13:57:59

华南最大led外延生产基地落户增城

t信息服务业、3g通讯、服务外包、汽车电子等项目,园区建成后将形成千亿旗舰产业。该led芯项目主要从事led外延、芯及相关产品研发、生产和销售,投资总额达6亿美,投

  https://www.alighting.cn/news/2011329/n678730940.htm2011/3/29 19:05:57

科锐推出150毫米 4h n型碳化硅外延

led领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4h n型碳化硅外延。科锐通过推出更大直径的外延,从而继续引领碳化硅材料市场的发展。此项最新技术能够降

  https://www.alighting.cn/news/2012911/n735043325.htm2012/9/11 10:30:55

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