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采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06
利用低压化学气相淀积工艺在6h-sic衬底成功制备了sicge薄膜。通过光致发光(pl)谱研究了生长温度对sicge薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,103
https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
采用脉冲激光沉积(pld)技术,在si(100)衬底上制备出高度c轴取向的zno薄膜。通过x射线衍射(xrd)谱,扫描电镜(sem)和室温光致发光(pl)光谱的测量,研究了生长气
https://www.alighting.cn/2013/5/7 11:24:11
led 显示屏是利用发光二极管点阵模块或像素单元组成的平面式显示屏幕，可以显示变化的数字、文字、图形图像，在现代商业广告或信息指示牌中得到广泛的应用。本设计采用at89c51 为
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125647.htm2013/5/6 13:53:17
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
面有着巨大的应用潜力。然而,sic单晶价格昂贵,这就促使人们继续探讨在si衬底上异质外延sic薄
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
本案例为2013阿拉丁神灯奖工程类参评项目——北京来福士广场夜景照明工程。本项目最独特的就量它的外立面，它本身只有两种颜色，白色和黑色，而且呈几何图形：商场幕墙表面由像素般的黑
https://www.alighting.cn/resource/2013/4/25/135625_39.htm2013/4/25 13:56:25
