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[专利问题]led外延、芯片、封装、应用方面重要专利

本文重点介绍了led外延、芯片、封装、应用方面重要专利。

  https://www.alighting.cn/news/20091223/V22295.htm2009/12/23 8:56:49

传璨圆将到大陆设led外延厂 产能超过台湾

在大陆官方出资支持下,led外延生长厂璨圆将前往大陆设外延生长厂,规划将设置50台以上外延生长设备,产能将远超过台湾璨圆现有产能。据悉,目前璨圆已为大陆厂订下外延生长设备,预

  https://www.alighting.cn/news/20090824/118172.htm2009/8/24 0:00:00

st甘化再次增资led外延片生产项目

日前,st甘化公布非公开发行预案的修订版,将原定向增发方案中的募投 “led外延片生产项目”的投资总额由7亿元人民币调整为8.36亿元。其中募集资金投入6亿元,自筹资金投入2.3

  https://www.alighting.cn/news/20111014/114663.htm2011/10/14 9:52:07

台湾华上光电江苏led外延片工厂投产

华上光电(江苏)有限公司于2010年6月30日在江苏省苏州市吴江经济开发区成立,注册资本3000万美金。以研发、生产、销售发光二极管外延片、芯片等高科技光电产品为主,正式投产后产

  https://www.alighting.cn/news/2011525/n580632249.htm2011/5/25 17:49:26

美高校研发出高效深绿led外延材料

伦斯勒理工学院(rpi)宣布,已研发出高效深绿led外延材料,这种材料对开发红绿蓝颜色混合白光led很有用。此前在对红绿蓝光led材料研究中,深绿光led材料的效率历来是最低的。

  https://www.alighting.cn/news/20090518/104839.htm2009/5/18 0:00:00

上海蓝光推出新型无掩膜侧向外延技术

上海蓝光日前提出一种新型无掩膜侧向外延技术,可在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的gan薄膜,在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑,衬底和gan之间粗糙的界面极大地提高led光提

  https://www.alighting.cn/news/20110601/115404.htm2011/6/1 10:13:21

allos推新型硅基氮化镓外延片产品,具有超过1400v的击穿电压

来自电子、微电子及纳米技术研究院 (iemn)的最新结果显示,allos即将推出的适用于1200v器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29

高亮度led外延片及芯片及封装技术项目可行性研究报告

2013 版用于发改委立项高亮度led 外延片及芯片及封装技术项目可行性研究报告(全程辅助+专家答疑)审查要求及编制方案,仅供参考。

  https://www.alighting.cn/2013/2/25 11:44:13

三安光电2013年led外延片将年产千万

随着安徽三安一期建设的全面达产及二期建设的稳步推进,2013年公司将形成年产led外延片1000万片、芯片3000亿粒的综合生产规模。

  https://www.alighting.cn/news/201297/n622143201.htm2012/9/7 8:57:24

gtat副总裁paul beaulieu:尽快降低led外延晶片成本

近日,在“ofweek第十届led前瞻技术与市场研讨会”上,来自gt advanced technologies的副总裁paul beaulieu发表了名如何降低led外延晶片生

  https://www.alighting.cn/news/20131120/n632758429.htm2013/11/20 17:50:05

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