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led外延材料及国内芯业的发展及其拓展

led外延材料及国内芯业的发展及其拓展

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V12423.htm2007/2/8 14:07:15

led半导体照明外延及芯技术的最新进展

自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来,基于gan基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止,商品化白光le

  https://www.alighting.cn/resource/2013/5/29/16025_26.htm2013/5/29 16:00:25

led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

近十几年来为了开发蓝色高亮度发光二极管,世界各地相关研究的人员无不全力投入。

  https://www.alighting.cn/resource/20060314/128926.htm2006/3/14 0:00:00

图形化衬底led芯的技术研究

基led外延(其主要结构包括:n-gan、量子阱和p-gan)。通过这种方式可以实现一次性生长具有不同结构的量子阱

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30

外延生长|磊晶(epitaxial growth)

在合适的衬底基上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶

  https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51

【led术语】外延生长(epitaxial growth)

在基上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的lpe(液

  https://www.alighting.cn/resource/20100817/128309.htm2010/8/17 17:35:44

led分选测试方法汇总

本文为大家介绍led的分选的两种方法。一是以芯为基础的测试分选,二是对封装好的led进行测试分选。

  https://www.alighting.cn/resource/20150303/123537.htm2015/3/3 11:15:30

led产业mocvd设备专利信息分析

通过世界专利索引数据库(dwpi)对mocvd设备专利进行全面检索,然后进行人工标引,剔除不相关专利,经过引证、权利要求项、诉讼等指标的筛选,对aixtron的喷淋头结构技术和ve

  https://www.alighting.cn/2014/1/8 10:30:41

详解基于芯与封装的两种led分选方法及应用

led通常按照主波长、发光强度、光通亮、色温、工作电压、反向击穿电压等几个关键参数进行测试与分选。led的测试与分选是led生产过程中的一项必要工序。目前,它是许多led芯片和封装

  https://www.alighting.cn/resource/20131122/125097.htm2013/11/22 14:15:02

led芯及器件的分选测试

本文主要介绍led芯及器件的分选测试,led的分选有两种方法:一是以芯为基础的测试分选,二是对封装好的led进行测试分选。

  https://www.alighting.cn/2013/7/18 16:24:50

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