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4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。 随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
让成本下降、使技术成熟是整个产业链的事。led产业链的上、中、下游分别为外延材料与芯片加工、产品器件与模块封装、显示与照明应用。led外延片与芯片约占行业70%的利润，led封
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271169.html2012/4/10 20:58:57
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279540.html2012/6/20 23:07:29
者收购的多数股权，而三安及其他较大的中国led照明企业仍倾向于投资在隆达的综合性生产，从led的外延和芯片包装和智能照明产品设计。 林旭川，三安总裁说，中国投资者有兴趣在台湾的上游工
http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/9/12/289704.html2012/9/12 10:15:51
读的专业是led mocvd外延技术，这属于led产业最前端的上游技术，文尚胜博士属于我国第一批从事进口mocvd设备外延生长研究的学者。维持mocvd设备正常运转，其成本、费用相
http://blog.alighting.cn/157938/archive/2012/11/29/301468.html2012/11/29 9:54:16
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304365.html2012/12/17 19:36:18
要取决于二个部分：外延芯片及器件封装的性能质量，这二种失效机理完全不一样，现分别叙述。 （1）外延芯片的失效 影响外延芯片性能及质量的，主要是与外延层特别是p-n结部分的位错和缺
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/2/309248.html2013/2/2 8:43:51
个制作环节的本钱，衬底尺度从当前的2英寸向4英寸、6英寸、8英寸乃至12英寸展开。进步led器材功率首要是进步外延资料的质量。首要经过：一是描绘新式的蓝宝石图形衬底，进步晶体质量和光
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/13/323399.html2013/8/13 15:08:07
