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半导体照明发光二极管的芯片制造技术及相关物理问题

以化合物半导体材料为发光元件的半导体固态照明正引发人类照明史上的又一次伟大革命.目前,局限半导体照明广泛应用的主要技术瓶颈有:出光效率(或外量子效率),单管最大可发光通量(或最大

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1063.htm2010/1/18 14:18:53

厚度对gan薄膜的发光性能的影响

研究发现不同厚度gan 薄膜的吸收截止边均在3.38ev 附近,在它们的光致发光(pl)光谱中也观察到了相同位置带边峰。

  https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:41:03

白光led用红色发光粉ligd(moo_4))2:eu~(3+)的制备和发光特性

采用高温固相法制备了ligd1-xeux(moo4)2钼酸盐红色发光粉,利用xrd和发光光谱技术对粉体进行了性能表征。结果表明:该系列发光粉均为四方晶系的白钨矿结构,能够被近紫外

  https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:50:26

有机电致发光显示器件oled简介

由华嘉光电技术有限公司的姚华文所整理的《有机电致发光显示器件oled简介》,现在分享给大家。

  https://www.alighting.cn/resource/20130313/125899.htm2013/3/13 10:11:17

汽车具解析 氙气与卤素有何不同

本文介绍了汽车氙气与卤素有何不同。

  https://www.alighting.cn/resource/20071228/V13438.htm2007/12/28 10:50:03

in组分对ingan/gan蓝光led发光性质的影响

目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大,在80k

  https://www.alighting.cn/resource/20141011/124217.htm2014/10/11 10:37:14

eu3+荧光粉的制备和发光性能

于eu3+的5d0→7fj(j=1,2,3,4)特征锐线发射,eu3+摩尔分数为14%时荧光粉的发光强度最

  https://www.alighting.cn/2014/7/16 10:49:56

led的仿生照明设计与研究

针对整个萤火虫群无章可循的发光现象,采用调光信号离散化处理的控制手段,对“萤火虫”群中每只“萤火虫”时变以及非线性的发光进行独立精确控制,从而设计出具有萤火虫发光特征的仿生le

  https://www.alighting.cn/resource/2014/9/16/142856_61.htm2014/9/16 14:28:56

发光二极管(led)产品基础知识简介

发光二极管(led)产品基础知识简介》,从发光二极管(led)简介、led主要制程及物料、公司主要产品结构介绍、led主要光电参数简述、led的优点这五个方面进行叙述,欢迎下

  https://www.alighting.cn/resource/2010/12/8/103557_09.htm2010/12/8 10:35:57

氙气闪光和led补光的区别

led补光是使用led发光二极体对被摄物体进行补光,led由于能耗低亮度高一般用在拍照手机或数码摄像机上,用于光线不补时的补光。由于led发光二极体的亮度远低于真正的闪光

  https://www.alighting.cn/resource/20090212/128839.htm2009/2/12 0:00:00

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