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为什么在反激式转换器中使用bjt?

计中使用双极性节点晶体管 (bjt)

  https://www.alighting.cn/2014/12/15 10:39:51

igzo与amoled显示技术简单对比

igzo为铟镓锌氧化物的缩写,非晶igzo材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料。amoled是有源矩阵有机发光二极体面板。相比传统的液晶面板,amoled具有反应速度较快

  https://www.alighting.cn/2014/8/18 11:03:46

详解igzo显示技术

igzo是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料,igzo技术具有低耗电量、高屏幕精度、高触摸性能等优势,据称未来iphone将采用igzo显示技术,那么igzo究竟有什么样的独

  https://www.alighting.cn/resource/20140515/124564.htm2014/5/15 14:31:41

基于不同基板1w硅衬底蓝光led老化性能研究

近几年来,硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点,在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。

  https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55

外延改善led芯片esd性能的方法

esd耐受电压是反映led芯片性能的一项重要指标,可用于评估led在封装和应用过程中可能被静电损坏的几率,是目前led研究和研发的前沿问题之一。本文分析了晶体质量及芯片结构对le

  https://www.alighting.cn/2013/3/29 9:56:19

si基外延gan中缺陷的腐蚀研究

本文研究了两组不同晶体质量的gan外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明gan外延生长过程中位错密度是逐渐降

  https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08

开关电源基本工作原理

顾名思义,开关电源就是利用电子开关器件(如晶体管、场效应管、可控硅闸流管等),通过控制电路,使电子开关器件不停地“接通”和“关断”,让电子开关器件对输入电压进行脉冲调制,从而实

  https://www.alighting.cn/resource/20120419/126602.htm2012/4/19 11:01:13

mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜

仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44

led蓝宝石基板介绍

蓝宝石的组成为氧化铝(al2o3),是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成,其晶体结构为六方晶格结构.它常被应用的切面有a-plane,c-plane及r-plane.由

  https://www.alighting.cn/2011/9/22 15:43:12

aln缓冲层对algan表面形貌的影响

使用扫描电子显微镜、高分辨率x射线衍射、raman散射、原子力显微镜、透射电镜等测试手段,对高铝组分的algan样品表面形貌的形成原因进行研究。结果表明,aln缓冲层的晶体质量,

  https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48

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