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料特性进行了表征,分析研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与gasb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的inassb外延层
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13
使用扫描电子显微镜、高分辨率x射线衍射、raman散射、原子力显微镜、透射电镜等测试手段,对高铝组分的algan样品表面形貌的形成原因进行研究。结果表明,aln缓冲层的晶体质量,
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48
在长时间施加直流栅偏压下将导致晶体管阈值电压漂移,造成oled的发光亮度下降,影响其使用寿命。而多管的像素电路设计可以补偿或消除阈值电压的漂移。本文分析了电流控制电流镜像像素电
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127159.htm2011/9/13 14:02:15
现了较高的(222)择优取向;随着膜层厚度的增加,该衍射峰对应的2θ衍射角逐渐向大角度方向移动,同时该衍射峰的半峰全宽逐渐减小,平均晶粒尺寸增
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23
采用x射线多功能四圆衍射仪测绘出gan/gaas(0 0 1 )外延层中六角相的{0 0 0 2 }和 {1 0 1 0 }极图 ,结果表明外延层中六角相与立方相之间的取向关系
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127171.htm2011/9/9 9:03:08
、原子力显微镜、透射光谱以及光致发光光谱等表征技术,研究了zno/mgo多量子阱的结构、表面形貌和光致发光等特性.xrd以及扫描的结果表明多层膜样品具有高c轴择优取向并且与蓝宝石基
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
用脉冲激光沉积(pld)方法在si(111)和蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜,在不同的退火温度和不同的退火氛围中进行了退火处理.退火温度及退火氛围对zno薄膜的结构和发光特性的影响用
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53
度的增加,图形的深度增加。腐蚀后图形阵列排布整齐,所有图形都方向一致,这与蓝宝石本身晶体性质有关。腐蚀液温度对外延后gan的影响也比较大,随着腐蚀液温度的增加,(002)半峰宽逐渐增
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
在蓝宝石基片上,以ceo2为缓冲层制备了高质量的双面tl2ba2cacu2o8(tl-2212)超导薄膜。以金属铈靶作为溅射源生长了c轴取向的ceo2缓冲薄膜,并对ceo2薄膜进
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
