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普瑞光电近日宣布,他们已经成功实现了最新的基于硅衬底的led制造技术研发成果。该技术主要使用成本较低的硅来取代目前使用的更昂贵的制造材料。
https://www.alighting.cn/news/20110315/115520.htm2011/3/15 10:26:38
赤崎和天野的研究小组,就在GaN类蓝色led的开发中做出了重要贡献。赤崎在2001年获得了“应用物理学会成就奖”,获奖理由中有这样一段话:“在GaN类氮化物半导体材料和元器件的研
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124150.htm2014/10/29 14:39:18
因照明用led需求大增,三菱化学计划在2014年初将led用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍。目前,三菱化学利用水岛事业所和筑波事业所生产GaN基板,生产的产品直径为
https://www.alighting.cn/news/2013311/n055549523.htm2013/3/11 9:11:27
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59
本文为日本名城大学hiroshi amno教授关于《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》的一篇精彩演讲的演讲稿件,现在共享与此,提供给大家参考阅读。
https://www.alighting.cn/resource/20120326/126644.htm2012/3/26 14:09:45
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
议,mcc将可制造、贩卖独立的氮化镓(GaN)基板,并有权签订类似专利范围的再授权协议(similarly-scoped sublicense
https://www.alighting.cn/news/20090116/117883.htm2009/1/16 0:00:00
一家由美国加州大学santa barbara分校氮化镓(GaN)实验室所独立的新创公司inlustra,日前宣布开发出一种可扩展的、用于非极性(nonplar)和半极
https://www.alighting.cn/resource/20090420/128683.htm2009/4/20 0:00:00
随着发光材料与发光技术的不断革新,半导体技术在照明领域掀起了一场新的革命——半导体照明。半导体(led)照明产品,尤其是氮化镓基(GaN)白光led照明光源体积小、重量轻、方向性
https://www.alighting.cn/resource/20081119/128630.htm2008/11/19 0:00:00
ims research最新一季氮化镓led供求报告结果显示2011年GaN led封装收入比去年减少6%,预计GaN led市场在2012年至2015年期间会逐步回暖,并且由
https://www.alighting.cn/news/20120201/89666.htm2012/2/1 11:27:54