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英国雪菲尔大学(sheffield university)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(applied physics letter)期刊上发布在半极性氮化镓(ga
https://www.alighting.cn/news/20160304/137600.htm2016/3/4 9:47:40
瑞士半导体光源开发商exalos公司已经成功测试氮化镓(GaN)超辐射发光二极管(sled)的寿命，在特定测试条件下，sled寿命预计能达到5000小时以上。exalos公司表
https://www.alighting.cn/news/20160218/137029.htm2016/2/18 10:09:47
2015年度国家科学技术发明一等奖正式揭晓，一直饱受争议的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目摘得了此桂冠。
https://www.alighting.cn/special/20160115/2016/1/14 17:35:22
日本电子材料/零件商tamura已中止研发使用氧化镓(gallium oxide)基板的led。
https://www.alighting.cn/news/20160114/136389.htm2016/1/14 9:36:53
尘埃落定，2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓，一直饱受争议的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目(简称硅衬底)摘得了此桂冠。这也意味着硅衬底的技术瓶颈几近突
https://www.alighting.cn/special/20160108/index.html2016/1/8 16:06:29
尘埃落定，2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓，“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目(简称硅衬底)摘得了此桂冠。十年磨一剑，硅衬底led技术终于迈向了新征程，
https://www.alighting.cn/news/20160108/136208.htm2016/1/8 12:04:02
1月8日，国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行，由南昌大学、晶能光电(江西)有限公司、中节能晶和照明有限公司共同完成的“硅衬底高光效氮化镓基蓝色发光二极管项目”荣获国家技
https://www.alighting.cn/news/20160108/136207.htm2016/1/8 12:00:44
2015年度国家科学技术奖颁奖典礼拟于本周五在北京人民大会堂举行。江西省上报的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目有望斩获技术发明一等奖。该技术发明正在撑起江西省千亿le
https://www.alighting.cn/news/20160108/136185.htm2016/1/8 9:55:45
以下对功率型GaN基led光电器件覆晶倒装焊产业技术进行研究，介绍led光电的发展历程、产品应用、研究方法、技术路线以及解决的关键问题。
https://www.alighting.cn/resource/20160106/136049.htm2016/1/6 14:02:39
近年，以氮化镓(GaN)、碳化硅(sic)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料在引发全球瞩目，成为全球半导体研究前沿和热点，中国也不例外地快马加鞭进行部署。
https://www.alighting.cn/news/20160104/135902.htm2016/1/4 10:50:21
