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聚灿光电订购爱思强crius ii-l系统生产外延片

德国爱思强股份有限公司于1月15日宣布,聚灿光电科技(苏州)有限公司向其订购多套crius ii-l系统,用于大批量生产氮化(gan)发光二极管(led)外延片。所订购系统每

  https://www.alighting.cn/news/20130116/112829.htm2013/1/16 10:52:45

晶电控告广专利侵权案判决出炉,广胜诉

昨日,晶电(2448)控告广(8199)专利侵权案判决出炉!智财法院宣判晶电主张专利无效,广获得胜利。

  https://www.alighting.cn/news/20090922/105602.htm2009/9/22 0:00:00

智能led照明 需求持续增长

led芯片的生产离不开铟等稀有金属,而无线通信又离不开锗硅等金属,随着智能led照明行业的兴起和发展,对于稀有金属的消费量有望逐步释放。

  https://www.alighting.cn/news/2014128/n442867847.htm2014/12/8 13:42:30

荷兰akzonobel公司建厂扩大led前导材料产能

o项目组隶属于akzonobel公司功能化学品业务部,该部门生产铟基、基、铝基、锌基和镁基等的各种有机金属材料,它们是生产led、太阳能电池以及其他半导体设备的关键前导材

  https://www.alighting.cn/news/20110629/115316.htm2011/6/29 11:51:33

新纳晶高亮度led芯片项目获2500万元资助

担的“高亮度氮化基半导体照明外延片、芯片的研发及产业化”科技项目给予2500.3万元的资

  https://www.alighting.cn/news/20140731/111070.htm2014/7/31 9:11:20

台湾中央大学采用爱思强mocvd,用于6英寸硅基氮化外延生长

爱思强股份有限公司8月14日宣布,台湾中央大学向其订购一套新的mocvd系统。此次订购的1x6英寸爱思强近耦合喷淋头? mocvd系统,将用于在6英寸的硅基材上生长氮化外延结

  https://www.alighting.cn/news/20120815/114421.htm2012/8/15 11:48:41

ucsb:俄歇复合为led效率下降的主要原因

美国加州大学圣塔芭芭拉分校 (ucsb)的研究团队宣称通过第一原理计算发现,对于以氮化钾(gan)为主的led,俄歇复合(auger recombination)是其效率下

  https://www.alighting.cn/news/20090615/104758.htm2009/6/15 0:00:00

晶电控告广专利侵权案判决出炉 广胜诉

9月21日,led芯片大厂晶电控告广专利侵权案判决出炉,法院宣判晶电主张专利无效,广获得胜利。

  https://www.alighting.cn/news/20090922/119162.htm2009/9/22 0:00:00

压电—光电效应,可使led光电转化率提升约4.25倍

新装置内的氧化锌纳米线构成了p-n结的n,氮化薄膜则可作为其中的p。自由载子将被囚禁在这个界面区域内。压电—光电效应可在对设备施加0.093%压应力的情况下,使发光强度提升17

  https://www.alighting.cn/news/20111102/100248.htm2011/11/2 9:05:30

广决议撤回上市申请案

近日,裕隆集团转投资led外延厂广2008年财报出炉,其每股盈余为1.46元新台币,由于目前市况不佳,公司决撤回上市申请,待股市好转后再重新申请上市。

  https://www.alighting.cn/news/20090219/118907.htm2009/2/19 0:00:00

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