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蓝紫光ingan多量子阱激光

在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06

退火对用pld法制备zno薄膜的发光影响

用脉冲激光沉积(pld)方法在si(111)和蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜,在不同的退火温度和不同的退火氛围中进行了退火处理.退火温度及退火氛围对zno薄膜的结构和发光特性的影响

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53

蓝宝石光纤端面上zno薄膜的制备及其温变光学特性

介绍了利用电子蒸发技术在蓝宝石光纤端面上生长具有良好表面形貌和晶体结构的zno薄膜方法.不同测试温度(室温至773k)条件下的透射光谱显示,蒸镀在蓝宝石光纤端面上的zno薄膜,

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127196.htm2011/9/5 14:47:06

全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底提高发光二极管外量子效率

为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金

  https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05

衬底温度对al_2o_3(0001)表面外延6h-sic薄膜的影响

采用固源分子外延技术,以α-al2o3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6h-sic薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、x射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127221.htm2011/8/31 16:05:19

led用蓝宝石晶体衬底激光划片工艺

本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20

led泵浦蓝宝石光纤荧光温度传感器

采用激光加热基座法制备端部cr3+离子掺杂的蓝宝石单晶光纤,得到一体型蓝宝石单晶光纤荧光温度传感头.对所制备的荧光温度传感头的荧光温度特性进行了实验研究.结果表明,随着温度升高c

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127232.htm2011/8/30 13:42:34

aln/蓝宝石模板上生长的gan研究

研究了在分子外延制备的aln/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂gan的材料性质.采用x射线衍射(xrd)、透射电镜(tem)和原子力显微镜研究了aln模

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127233.htm2011/8/30 13:29:11

led晶圆激光刻划技术

激光加工是非接触式加工,作为传统机械锯片切割的替代工艺,激光划片切口非常小,聚焦后的激光微细光斑作用的晶圆表面迅速气化材料,在led有源区之间制造非常细小的切口,从而能够在有限面

  https://www.alighting.cn/resource/20110819/127293.htm2011/8/19 14:31:30

蓝宝石衬底分子外延生长gan薄膜的原位椭偏光谱分析

通过研究蓝宝石衬底分子外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45

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