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将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
延材料生长工艺的优化和改善提供依据,达到预测和提高器件可靠性的目
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
dialux研发进入跨世纪的阶段：dialux evo 1 多年来 dialux在灯光规划软件的产业中拥有良好的名声，受到来自全球一百八十九个国家的广大用户群支持与喜
https://www.alighting.cn/resource/2013/3/22/12109_54.htm2013/3/22 12:10:09
此文详尽地分析大功率led的发热问题并提出几种有效可行的散热解决方案。结合led热管散热器的原理结构对其传热机理、传热路线和各传热阶段的热阻进行离开定性分析和定量分析，从而建
https://www.alighting.cn/resource/2013/3/19/144131_37.htm2013/3/19 14:41:31
正led封装需要考虑的主要问题包括:(1)光取出效率;(2)热阻。大功率led封装的发展经历了几个阶段,封装结构的设计基本上围绕这两个问题。其中,为降低热阻而设计的封装结构较多,
https://www.alighting.cn/resource/20130318/125864.htm2013/3/18 13:27:08
构,并对其传热机理、传热路线和各传热阶段的热阻进行了定性分析和定量分析,建立了传热模型,导出了总传热系数的计算式,并给出了该热管散热器的设计计算实
https://www.alighting.cn/2013/3/15 11:26:52
一份介绍led芯片制程与设备环境的资料，作者是薛水源。现在分享给大家，欢迎各位下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/3/14 10:02:24
日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的gan层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)
https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21
mocvd(metal organic chemical vapor deposition)是生长高质量半导体薄膜材料的技术，在led、半导体激光器、太阳能电池等多个领域都有应
https://www.alighting.cn/resource/20130308/125923.htm2013/3/8 12:02:56
