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全球首个氮化单片集成fhd micro led显示器问世

5月14日,plessey宣布与背板合作伙伴jasper display corp(jdc)在研发单片集成micro led显示器过程中迈出了重要一步。

  https://www.alighting.cn/news/20190517/161929.htm2019/5/17 10:38:50

晶能光电新一代大功率led芯片问世

2012年6月12日,晶能光电(江西)有限公司新一代大功率led芯片产品发布会在广州香格里拉大酒店举行。晶能光电此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *5

  https://www.alighting.cn/news/2012614/n859040541.htm2012/6/14 1:55:12

晶能光电推出光效超120lm/w大功率led芯片

晶能光电此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *55在内的四款大功率芯片,发光效率已超过120lm/w。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122391.htm2012/6/14 10:06:35

牺牲ni退火对衬底gan发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

科锐升级供gan-on-sic hemt器件的工艺设计套件

计自动化工具),以实现科锐碳化衬底氮化 mmic 加工性

  https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18

日本成功开发出嵌入锗量子点的led

近日,日本东京都市大学综合研究所纳米科学研究中心成功开发出采用锗(ge)量子点的发光元件。

  https://www.alighting.cn/news/20100526/105710.htm2010/5/26 0:00:00

衬底ganled研究进展

由于具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,gan/si器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限

  https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47

衬底gan垂直结构高效led的最新进展

附件为《衬底gan垂直结构高效led的最新进展》pdf,欢迎大家下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40

晶能光电融资扩产大功率led芯片

作为江西省led产业龙头企业和全球led技术的领导者,晶能光电积极在高新区布局led产业,吸引了多家企业入区配套,形成了led产业在高新区的集聚。目前其新一轮的融资已经完

  https://www.alighting.cn/news/2013513/n091151630.htm2013/5/13 13:22:36

科锐推出650v碳化肖特二极管c3dxx065a系列

近日,碳化功率器件领域的市场领先者cree公司(nasdaq: cree)日前宣布推出最新z-rec?650v 结型肖特势垒(jbs)二极管系列。

  https://www.alighting.cn/pingce/20110111/123106.htm2011/1/11 17:17:17

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