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科学家们在美国能源部的资助下，借用最先进的理论计算证明，在氮化镓(gan)化合物中，2%的氮化镓由锑(sb)替代，这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳
https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07
?11月21日上午，合肥视涯项目投产仪式在合肥新站高新区内隆重举行，标志全球最大的硅基oLED生产工厂正式投产。
https://www.alighting.cn/news/20191122/165235.htm2019/11/22 9:45:24
晶能光电ceo王敏博士给阿拉丁神灯奖主办方暨评委的一封公开信。
https://www.alighting.cn/pingce/20130514/122103.htm2013/5/14 13:50:05
了高效的硅基发光二极管(siLEDs)，其不含重金属，却能够发射出多种颜色的
https://www.alighting.cn/pingce/20130221/121910.htm2013/2/21 11:10:07
报道显示，三星打算把原来的LED生产线“line 3”、“sr line”整并为一条，转移到位于京畿道器兴的“line 5”。line 5原本负责生产三星的系统半导体，但该公司决
https://www.alighting.cn/news/20150317/97057.htm2015/3/17 9:14:55
比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划,目标是降低氮化鎵(gan)技术成本，采用大直径的硅基氮化鎵(gan-on-si)，并开发高效率、大功率白光LED，致力于推动氮化
https://www.alighting.cn/news/2009721/V20310.htm2009/7/21 11:27:11
现在市场上广泛使用的极化(c 平面)氮化镓材料具有很强的自发压电极化特性，这一点是许多器件性能问题的主要原因，比如内部量子效率的减小，阱厚度的限制，高的正向电压，载流子的溢出等
https://www.alighting.cn/pingce/20130926/121903.htm2013/9/26 15:36:04
氮化铟镓(ingan)是蓝光LED的关键材料，最近有国际研究团队发表有关氮化铟镓薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制，该研究在今年一月刊载于期刊《physica
https://www.alighting.cn/news/20180223/155245.htm2018/2/23 14:43:04
这次kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于0.02欧姆厘米，导电能力得到极大提高，电阻率比他们以前的n型氮化镓衬底低两个数量级。此外，kyma也成功开发了高掺杂n+
https://www.alighting.cn/news/20110808/115929.htm2011/8/8 10:45:12
伦斯勒理工学院的研究人员发明了一种能大大提高绿色LED发光量的制造方法：在LED的蓝宝石衬底和氮化镓层的交界处进行纳米级蚀刻,使LED产生绿光，并且在光提取,内部效率和发光量方
https://www.alighting.cn/news/20110509/100509.htm2011/5/9 10:38:49
