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业的一个较完整的产业链。在上游衬底和外延片生产工艺上，晶能光电以南昌大学为技术依托，开辟的半导体发光材料领域的第三条技术路线硅衬底的led技术，打破了此前日本日亚公司垄断蓝宝石衬
http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2012/8/30/288681.html2012/8/30 19:16:16
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - n型gan层生长 - 多量子阱发光层生 - p型gan层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
所采用硅衬底成功研制出的衬底转移蓝光led，创造性地发展了硅衬底led技术路线，改变了日美等国垄断led照明核心技术的局面。到目前，晶能光电已推向市场的硅基大功率led芯片产品的发
http://blog.alighting.cn/oumanlight/archive/2012/9/14/289954.html2012/9/14 16:28:54
属凸点导给热导系数高的硅衬底（为145w/mk），散热效果更优；而且在pn结与p电极之间增加了一个反光层，又消除了电极和引线的挡光，因此这种结构具有电、光、热等方面较优的特性。 2
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
一、mb芯片定义与特点定义﹕mb 芯片﹕metal bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于uec 的专利产品。特点﹕1: 采用高散热系数的材料---si 作为衬底、散热容
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115018.html2010/11/18 16:06:00
i d59,3d显示术语 semi pv4,用于薄膜光伏的第五代衬底尺寸范围的规
http://blog.alighting.cn/fsafasdfa/archive/2011/4/18/166032.html2011/4/18 22:46:00
射出发光体的能量最多只有百分之三十左右，大部分的能量仍然还是以热能形式残留在led芯片上。led芯片本身的衬底材料、固晶方式也越来越趋于高效导热： (一)碳化硅衬底是目前导热率最
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/2/22/264686.html2012/2/22 15:55:11
led日光灯主要参数规格：t5、t8、t10、600/1200/1500mm颜色：正白/暖白/冷白电压：ac185-265v功率：8w 9w 12w 15w 18w 22w能效80
http://blog.alighting.cn/rixinlighting/archive/2010/8/7/73299.html2010/8/7 15:35:00
料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 ⑤algainn碳化硅（sic）背面出光法。美国cree公司是全球唯一采用sic衬底制造algainn超高亮度led的厂家，几年
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
错密度，改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan，再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层，然后利用光刻和刻蚀技术，形成gan视窗和掩膜层
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
