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采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅gan外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的gan基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
本文对基于硅热沉的大功率led 封装阵列进行了热模拟,同时结合传热学基本原理分析计算了各部分的热阻,然后,对实际工艺制备出的封装器件的结温进行了测量。结果表明,理论计算值与仿真结
https://www.alighting.cn/2015/2/5 11:08:11
为求解硅基热沉大功率led封装阵列在典型工作模式下的热传导情况，采用solidworks建立了2x2封装阵列的三围模型，模拟了其温度场分布，同时结合传热学基本原理分析计算了模型各
https://www.alighting.cn/resource/20140617/124506.htm2014/6/17 11:53:43
在led封装制程中，硫化现象主要发生在固晶和点胶封装工序，发生硫化的主要是含银的材料(镀银支架和导电银胶)和硅性胶材料。
https://www.alighting.cn/2015/3/9 13:29:15
介绍了一种基于fpga 的驱动方案，为所研制的基于微晶硅tft 基板的17.8cm(7in)有源矩阵有机发光显示器(amoled)提供驱动。
https://www.alighting.cn/resource/20140718/124433.htm2014/7/18 10:57:47
综述了近年来国内外功率型led封装材料的研究现状,通过对现有功率型led封装材料的应用情况展开讨论,明确指出有机硅封装材料不可替代的作用及其存在的广阔的应用前景和巨大的经济效
https://www.alighting.cn/2013/6/4 15:24:03
研究了氮化铝薄膜对 led 灯散热情况的影响,并与导热硅脂(ks609)涂层的散热效果进行了比较, 结果表明：导热涂层能加强 led 的散热,氮化铝薄膜散热效果优于导热硅脂；对红
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125968.htm2013/3/4 13:53:37
led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新材料。在短短数年内，借助于包括芯片结构、表面粗化处理和多量子
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/13/15102_42.htm2012/3/13 15:10:02
本文提出了一种基于mems的led苍片封装技术，利用体硅工艺在硅基上形成的鲫槽作为封装led芯片的反射腔。分析了反射腔对libel)的发光强度和光束眭能的影响，分析结果表明废反射
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125825.htm2013/3/25 11:15:34
在晶圆熔融键合技术上的最新进展已显示了它在提升键合对准精度上的能力过去的30年中，尺寸缩小和摩尔定律己成为硅平面工艺领域推动成本降低的主要动力。在这期间，主要的技术进步都
https://www.alighting.cn/resource/20141104/124133.htm2014/11/4 10:35:50
