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led材料发展时间表

2,色温为4988k(在ir=20ma的情况下,发光效率更高达169lm/w)。近两年,日亚公司生产的gan基led,无论是蓝光、紫光、紫外还是白光led均为国际上最高水平,其中46

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

片补色产生白光。只要散热得法,该方法产生的白光较前一种方法稳定,但驱动较复杂,另外还要考虑不同颜色芯片的不同光衰速度。  (3)在紫外光芯片上涂rgb荧光粉,利用紫光激发荧光粉产生三

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

用荧光粉提升pdp和led技术

光复合得到白光,显色性较好。但是,这种方法所用荧光粉有效转换效率较低,尤其是红色荧光粉的效率需要较大幅度的提高。 第三种实现方法是在紫光或紫外光led芯片上涂敷三基色或多种颜色的荧光

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262755.html2012/1/29 0:43:06

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

功率型led封装技术的关键工艺分析

涂rgb荧光粉,利用紫光激发荧光粉产生三基色光混色形成白光。由于目前的紫外光芯片和rgb荧光粉效率较低,仍未达到实用阶段。   照明用w级功率led产品要实现产业化还必须解决如下技

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

led与荧光粉知识

率需要较大幅度的提高。   第三种实现方法是在紫光或紫外光led芯片上涂敷三基色或多种颜色的荧光粉,利用该芯片发射的长波紫外光(370nm-380nm)或紫光(380nm-41

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262601.html2012/1/29 0:32:55

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

片补色产生白光。只要散热得法,该方法产生的白光较前一种方法稳定,但驱动较复杂,另外还要考虑不同颜色芯片的不同光衰速度。  (3)在紫外光芯片上涂rgb荧光粉,利用紫光激发荧光粉产生三

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

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