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由于Led芯片输入功率的不断提高，对这些功率型Led的封装技术提出了更高的要求。功率型Led封装技术主要应满足以下两点要求：1、封装结构要有高的取光效率，2、热阻要尽可能低，这
https://www.alighting.cn/resource/20101101/128244.htm2010/11/1 13:33:48
分析表明在老化过程中ingan/gan 多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加，形成了增强的极化电场屏蔽效应，减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变
https://www.alighting.cn/2014/11/24 11:48:19
ezBright700在300毫安和700毫安电流下的输出功率分别达到260毫瓦和350毫瓦。
https://www.alighting.cn/news/200773/V8067.htm2007/7/3 10:33:44
随著美国Led龙头大厂cree率先发动降价，从2010年第4季以来高功率Led价格已调降10~15%，带动台系Led芯片厂商跟进降价，预计Led照明市场可望提前在第3季爆发。
https://www.alighting.cn/news/20110119/92128.htm2011/1/19 11:55:32
于蓝光芯片的制程部
https://www.alighting.cn/news/20081022/118213.htm2008/10/22 0:00:00
日前美国Led大厂cree在发佈了大小为1 mm×1 mm高功率白光Led，其发光效率可高达161 Lm/w。对于这项新记录，cree表示这是芯片与封装技术提升的结果。
https://www.alighting.cn/news/20081230/105805.htm2008/12/30 0:00:00
本文介绍了一种照明Led驱动芯片中功率管的研究与设计。该芯片采用csmc 0.6um 5v标准cmos工艺设计,功率驱动管采用 ednmos结构,以提高功率管的耐压。芯片能直
https://www.alighting.cn/2014/4/21 10:33:49
科锐公司(nasdaq: cree)将继续引领高效率电子电力模组变革，宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅mosfet功率器件。科锐碳化
https://www.alighting.cn/pingce/20111219/122738.htm2011/12/19 10:45:36
evg是一家奥地利的晶圆键合和光刻设备制造商，最近evg500系列推出了新的晶圆键合系统。这套evg520L3系统内部包括了三个腔体，它结合了该系列设备在温度控制、活塞力一致和模
https://www.alighting.cn/pingce/20101025/123226.htm2010/10/25 13:40:22
2010年Led tv渗透率上看10％，高亮度蓝光Led面临大缺货。受惠Led芯片大缺，上周五（18日）璨圆（3061）股价大涨，外资、投信双双买超。璨圆2010年将增加30
https://www.alighting.cn/news/20090921/95868.htm2009/9/21 0:00:00
