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为改善gan 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
随着led照明市场起飞，加上背光用led规格的改变，中功率市场一跃而成2013年led产业主流规格，产值首度超越高功率市场，emc和flip-chip产品随着中功率市场兴起而成为2
https://www.alighting.cn/2013/12/2 11:41:57
利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
https://www.alighting.cn/resource/20101124/128212.htm2010/11/24 17:57:30
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
远达不到家庭日常照明的要求。封装技术是决定led进入普通照明领域的关键技术之一。文章对led芯片的最新研究成果以及封装的作用做了简单介绍,重点论述了封装的关键技术,包括共晶焊接、倒装焊
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:50:45
采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ito)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经x射线衍射(xrd)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ito薄膜呈
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23
把有一点缺陷或者电极有磨损的，分捡出来，这些就是后面的散
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56
随着led应用的升级，市场对于led的需求，也朝更大功率及更高亮度的方向发展，对于高功率led的设计，目前各大厂多以大尺寸单颗低压dc led为主，做法有二，一为传统水平结构，另一
https://www.alighting.cn/resource/20110720/127418.htm2011/7/20 9:39:54
