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柔性oled的封装方法

导读:有机电致发光二极管(oled)是一种全新的显示技术,其显示质量可与薄膜晶体管有源驱动液晶显示器(tftlcd)相比拟,而价格远比其低廉,它将对广泛使用的lcd技术发起挑

  https://www.alighting.cn/resource/2011/12/7/142414_87.htm2011/12/7 14:24:14

总结&分享:led的那些事儿

本文主要与大家分享薄膜芯片技术概要,封装技术介绍,驱动设计,照明用大功率led技术等,与大家分享关于高亮led的一些近况;

  https://www.alighting.cn/2011/11/28 12:48:47

用化学腐蚀来改善薄膜led的性能

异,可应用于高亮度薄膜led的制造

  https://www.alighting.cn/resource/20111114/126897.htm2011/11/14 12:49:35

si基zno/ga_2o_3氨化反应制备gan薄膜

利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29

si基ceo_2薄膜的发光特性

利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00

si衬底gan基led外延薄膜转移至金属基板的应力变化

采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12

si(001)衬底上闪锌矿zno的制备与分析

采用分子束外延方法在室温下于si(001)表面上生长zno材料。实验发现:样品为闪锌矿和六角结构的zno混合多晶薄膜,其表面分布着一系列具一定取向的近似长方形的纳米台柱结构。在不

  https://www.alighting.cn/resource/20111020/126988.htm2011/10/20 14:37:15

p型透明导电cu-al-o薄膜的制备与光电性能研究

本文采用cu靶和al靶直流共溅射法制备出p型透明导电cu-al-o薄膜,用原子力显微镜(afm)、x射线衍射(xrd)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计等测试手段对沉积的薄

  https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02

pld制备zno薄膜及非晶纳米棒的结构与性质研究

利用光谱椭偏仪,系统研究了用脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上,温度分别为400℃,500℃,600℃和700℃制备的zno薄膜的光学特性。利用三层cauchy散

  https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44

na-mg共掺杂zno薄膜的结构和光学性质

利用溶胶-凝胶法,在普通载玻片上使用旋转涂膜技术制备了具有c轴择优取向生长的na-mg共掺杂的zno薄膜。用xrd、sem、光致发光(pl)及透射光谱对薄膜样品进行了表征。

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127006.htm2011/10/18 14:46:03

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