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采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb超晶格材料.利用双晶x射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段
https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59
本文研究了icp刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为cl2/bcl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着icp功率、rf功率和气体总流量的增大单调增大;随着压
https://www.alighting.cn/resource/20130416/125723.htm2013/4/16 10:49:04
一份来自新世纪led有奖征稿活动的关于《非极性gan薄膜及其衬底材料》的资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/4/12 13:01:03
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作gan基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
分别研究了在聚合物衬底和金属衬底上制备foled的工艺、结构及性能。在聚合物衬底上成功制备了2.8inch(7.112cm)的128×64单色foled显示屏,在驱动电压12v时
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125746.htm2013/4/11 10:42:17
析,可知在蓝宝石衬底和环氧树脂的界面间涂敷一层硅橡胶能改善光的折射率。改进光学器件的封装技术,可以大幅度提高大功率led的出光率(光通
https://www.alighting.cn/2013/4/10 13:07:29
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
一份《led芯片知识大了解》资料，分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/4/3 10:32:14
石上剥离并转移至si衬底上，且gan薄膜的特性没有受到损伤和破坏。在此基础上，结合电镀cu树底的方式，制各出能发光的垂直型gan基led器
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
