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led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

led的应用优势及存在问题

须要面对的技术难题。而要真正开拓出一个全新的半导体照明时代,我们还要从以下几个方面努力攻克技术难题以及进一步规范半导体照明市场。3.1、led芯片芯片是led的核心,它的内部量子

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271737.html2012/4/10 23:30:14

led结温产生的根本原因及处理对策

小led温升效应的主要方法,一是设法提高元件的电光转换效率(又称外量子效率),使尽可能多的输入功率转变成光能,另一个重要的途径是设法提高元件的热散失能力,使结温产生的热,通过各种途径散

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271732.html2012/4/10 23:29:53

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271153.html2012/4/10 20:57:59

剖析:led照明产业热、市场冷现

势消失。所以说,一切都是达不到照明市场要求的led技术惹得祸。    led的发光效率分为内、外量子效率,对于内量子效率基本可达80%甚至90%,而外量子效率由于无法有效放出光子,

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271150.html2012/4/10 20:57:48

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

解析led光谱技术,挑战超高亮度led产品

素分子大小匹配性,已可获得高品质双异质结构半 导体或量子井结构的led,便能将不同种类的单晶元素逐层地建构起来。更进一步讨论,电光转换效率也就是内部结构量子化效率(interna

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271139.html2012/4/10 20:56:42

中国led的产业链正逐渐趋于完善

州鸿利、宁波升谱、江西联创、天津天星、廊坊鑫谷、深圳瑞丰、深圳光量子、健隆光电科技有限公司等,均为国内主要封装企业。这些企业或者已打入高端显示屏、背光源、照明器件器件等门槛较高领

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271127.html2012/4/10 20:55:20

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