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采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
ansi c78.1421-2002 投射灯尺寸和中心定位系统.gz4基的35mm整体反射轮辋标准灯
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/3/173015_38.htm2011/5/3 17:30:15
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
大功率点和浮充两种方式对蓄电池进行充电，并对蓄电池进行管理，以防止过充和过放，led路灯恒流输出，系统已经正常工作了2个月。虽然防反充二极管选用的是肖特基二极管，但是，损耗还是比较
https://www.alighting.cn/2013/1/24 15:38:23
微观形貌分析、钙测试以及寿命测试表明,通过增加ald 的pgt,低温制备的薄膜与高温制备的薄膜的均匀性差别较小,且制备过程对oled 器件的光电性能无明显影响。
https://www.alighting.cn/2014/10/23 11:03:15
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,x
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
本文继续分享led封装工程师的个人调研总结，有兴趣的记得详细看噢！
https://www.alighting.cn/resource/20141210/123949.htm2014/12/10 11:20:55
