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转移板材质对si衬底ganled芯片性能的影响

在si衬底上生长了ganled外延材料,分别转移到新的板和铜板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。

  https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36

emerge推出兼容所有可控调光的线性灯具

ddp子公司emerge照明推出了一款可控调光线电压灯具,适用于反复表面擦动(continuous surface grazing)和洗墙应用。命名为washgrazelv

  https://www.alighting.cn/pingce/20130128/122041.htm2013/1/28 10:30:22

肖特二极管简介

肖特二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)a为正极,以n型半导体b为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

  https://www.alighting.cn/resource/20110704/127473.htm2011/7/4 11:16:05

罗姆实现业界最小的低vf sic肖特势垒二极管

罗姆株式会开发出实现业界最小※正向电压(vf=1.35v)的第二代sic(silicon carbide:碳化)肖特势垒二极管“scs210ag/am”(600v/10

  https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31

si衬底gan蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm衬底gan蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.

  https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36

日本多晶企业tokuyama进军led用晶圆市场

据日经产业新闻30日报导,日本多晶制造龙头厂商tokuyama已研发出一款使用于led板的大尺寸单晶晶圆,将正式进军led用大尺寸晶圆市场。

  https://www.alighting.cn/news/2011121/n752236145.htm2011/12/1 10:16:12

牺牲ni退火对衬底gan发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

台湾中央大学采用爱思强mocvd,用于6英寸氮化镓外延生长

爱思强股份有限公司8月14日宣布,台湾中央大学向其订购一套新的mocvd系统。此次订购的1x6英寸爱思强近耦合喷淋头? mocvd系统,将用于在6英寸的材上生长氮化镓外延结

  https://www.alighting.cn/news/20120815/114421.htm2012/8/15 11:48:41

衬底led缘何能获“国家科学技术发明一等奖”?

尘埃落定,2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓,“衬底高光效gan蓝色发光二极管”项目(简称衬底)摘得了此桂冠。十年磨一剑,衬底led技术终于迈向了新征程,

  https://www.alighting.cn/news/20160108/136208.htm2016/1/8 12:04:02

露笑科技签署碳化项目,定制设备总采购金额3亿元

11月27日,露笑科技发布公告宣布签署碳化项目战略合作协议,将为碳化产业化项目定制约200台碳化长晶炉,设备总采购金额约3亿元。

  https://www.alighting.cn/news/20191202/165423.htm2019/12/2 10:15:29

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