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发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展，本文主要介绍了提高GaN基led外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射层(db
https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35
硅基GaN衬底面临一些技术挑战。GaN和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力，这会引起薄
https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47
据日经新闻23日报导，三菱化学(mitsubishi chemical)计划于今(2012)年10月开始量产使用于led的氮化镓(GaN)基板，因其电光转换率高(将电力转换成
https://www.alighting.cn/news/20120223/114925.htm2012/2/23 9:48:18
大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文试制出了利用GaN系半导体的红色led组件。利用GaN系半导体的蓝色led组件及绿色led组件现已达到实用水平，但试制出红
https://www.alighting.cn/news/20090707/120831.htm2009/7/7 0:00:00
小编将在本文中介绍几种常用的emi滤波器件，希望对新手朋友们有所帮助。
https://www.alighting.cn/resource/20150127/123676.htm2015/1/27 10:50:39
据市场研究公司researchandmarkets报道，日本led器件市场在2014年至2019年期间年复合增长率将达9.3%。亚太地区是led器件的主要生产商，而这些生产商主
https://www.alighting.cn/news/20150826/132084.htm2015/8/26 9:43:01
利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(mocvd)在蓝宝石衬底上生长GaN时,GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫
https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
自2011年以来，50-250伏特(v)负载点(point-of-load)及高阶功率元件的市场需求不断高涨，而目前新的GaN元件规格已能符合此一耐压区间，将借更优异的材料特
https://www.alighting.cn/news/20120730/89039.htm2012/7/30 10:53:31
据报导，为了让照明用led进一步普及，三菱化学评估GaN基板的适当价格应压低至现行的1/10，达每平方公分1,000日圆的水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115503.htm2011/9/14 9:51:05
