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GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
https://www.alighting.cn/resource/20110331/127800.htm2011/3/31 14:58:54
对于高亮度led制造业来说，蓝宝石上GaN明显是一种领先的方案;sic上GaN几乎也一样，对眼下基于氮化物的无线/射频产品而言，它是一张中奖彩票。硅上GaN也是用于这几个市场，但
https://www.alighting.cn/resource/20101201/128165.htm2010/12/1 15:21:37
日前，比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划(iiap：industrial affiliation program)，目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本，采用大直径的硅
https://www.alighting.cn/news/20090813/93153.htm2009/8/13 0:00:00
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
采用 x 光双晶衍射仪分析了 GaN 基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成 GaN2-led 芯片 , 对分组抽取特定区域芯片封装成的 GaN2led 器件进行可靠性试验 。对
https://www.alighting.cn/news/20091221/V22250.htm2009/12/21 7:50:32
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaN和GaN：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59
目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，sic同样存在硬度高且成本昂
https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）a为正极，以n型半导体b为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
https://www.alighting.cn/resource/20110704/127473.htm2011/7/4 11:16:05
采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性GaN薄膜。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56
东芝照明技术公司开发出了在电源电路中应用GaN功率元件的卤素led灯泡。新产品将在2015年3月6日推出。与原来采用硅功率元件时相比，采用GaN功率元件后，能够以相当于前者约10
https://www.alighting.cn/news/20150304/83130.htm2015/3/4 13:41:39
