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乾照光电与武汉大学共同开发硅基高功率GaN led

乾照光电和武汉大学研究人员表示,他们在4英寸p型硅衬底上开发出高功率,可靠的基于GaN的垂直led(vled)。他们使用具有sio2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此

  https://www.alighting.cn/news/20191220/165785.htm2019/12/20 9:23:05

重塑新优势 陶瓷基板市场渐升温

陶瓷基板是基于高效散热、化学稳定的陶瓷材料的线路板,特别适用高功率电子元件封装应用。目前,陶瓷基板广泛应用在cob、以及灯丝产品中。业内表示,制造高纯度的陶瓷基板比较困难,因为大

  https://www.alighting.cn/news/20150807/131622.htm2015/8/7 9:53:56

GaN同质外延和竖直结构大功率led

北京大学的张国义整理的关于《GaN同质外延和竖直结构大功率led》的技术资料,分享给大家。

  https://www.alighting.cn/resource/20130226/126001.htm2013/2/26 11:28:48

mocvd生长GaNGaN:mg薄膜的对比研究

对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaNGaN:mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52

GaN基蓝光led关键技术进展

本文首先综述了GaN基材料的基本特性,分析了GaN基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延,p型掺杂,欧姆接触,刻蚀工艺,芯片切割技术,介绍了目前各项技术的工艺现状,最后指

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21

GaN及alGaN薄膜透射光谱的研究

利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或alGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06

si衬底GaN基led理想因子的研究

首次报道si衬底GaN led的理想因子。通过GaN ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s

  https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29

led铝基板的结构与作用

led的散热问题是led厂家最头痛的问题,不过可以采用铝基板,因为铝的导热係数高,散热好,可以有效的将内部热量导出。

  https://www.alighting.cn/resource/20110421/127713.htm2011/4/21 13:33:50

研发我补助,深圳已获“国家高新”led企业最高可领1000万

出,为贯彻落实市委市政府《关于促进科技创新的若干措施》(深发〔2016〕7号)中第21条“支持企业建立研发准备金制度,对其按规定支出,符合加计扣除政策…

  https://www.alighting.cn/news/20160706/141674.htm2016/7/6 9:45:58

西安led蓝宝石基板产业项目开工

西安民用航天产业基地的产业项目“led蓝宝石基板及后续”项目和商业地产航天城项目一期开工,两项目总投资高达116亿元。

  https://www.alighting.cn/news/20101201/101992.htm2010/12/1 11:24:49

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