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因照明用led需求大增，三菱化学(mitsubishi chemical)计划于2014年初将led用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍，以藉此满足顾客端强劲的需求。
https://www.alighting.cn/news/20130311/112791.htm2013/3/11 10:34:23
出。届时，兰州新区地产的第一颗蓝宝石晶体将“问世
https://www.alighting.cn/news/2014725/n391264270.htm2014/7/25 15:00:51
国星光电在投资者互动平台上表示，目前已通过实验室制备出超大尺寸单晶钙钛矿晶体，该研究在发光材料方面具有较大的应用价值，但从实验室到实际运用至产品中仍有较长一段时间。
https://www.alighting.cn/news/20161012/145032.htm2016/10/12 9:24:29
在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长GaN材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成，其中包括低rdson mosfet以及可将电流能力最高提升至3.2 a的低饱和通用晶体
https://www.alighting.cn/pingce/20131104/121651.htm2013/11/4 11:58:44
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
硅上氮化镓(GaN)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
用同种GaN基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明：GaN基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45
以GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127977.htm2010/7/12 18:02:38
ccs-mocvd系统生长了inGaN/GaN mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长GaN缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
