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近日，科锐(nasdaq: cree)宣布与英飞凌(fse: ifx / otcqx: ifnny)签署长期协议，为英飞凌生产和供应wolfspeed sic碳化硅晶圆片。该协
https://www.alighting.cn/news/20180228/155330.htm2018/2/28 10:12:02
xrd和pl谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。
https://www.alighting.cn/2015/2/6 10:55:00
外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件，预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。
https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12
现在正在进行扩建施工，新的生产线计划在2015年内投入运转。三菱化学增产GaN基板的原因是，用于照明和汽车头灯等的高功率led的需求扩大。
https://www.alighting.cn/news/20150702/130568.htm2015/7/2 9:18:53
因照明用led需求大增，三菱化学(mitsubishi chemical)计划于2014年初将led用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍，以藉此满足顾客端强劲的需求。
https://www.alighting.cn/news/20130311/112791.htm2013/3/11 10:34:23
从台积电、联电、中芯等大中华地区前3大晶圆代工厂单季营收表现观察，受欧债风暴冲击，终端需求明显减弱，加上全球主要晶片供应商合计存货金额仍在高点，客户端调节库存压力仍大，使得201
https://www.alighting.cn/news/20111205/89799.htm2011/12/5 10:56:19
在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长GaN材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
硅上氮化镓(GaN)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
