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si衬底GaN基led理想因子的研究

首次报道si衬底GaN led的理想因子。通过GaN ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s

  https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29

量子点和GaN成十二届movpe会议热点

在夏威夷毛伊岛举行的第十二届movpe大会上, GaN基材料和器件成为讨论的热点。

  https://www.alighting.cn/news/20040927/102750.htm2004/9/27 0:00:00

将sic外延晶圆产能提高到2.5倍

昭和电工宣布,将功率半导体器件用4英寸sic外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55

美国rubicon 出售40万片6英寸蓝宝石晶圆

寸的蓝宝石晶

  https://www.alighting.cn/news/20130201/112496.htm2013/2/1 10:34:03

外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究

xrd和pl谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。

  https://www.alighting.cn/2015/2/6 10:55:00

日本发表使用氧化镓基板的GaN类led元件

外媒报导,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件,预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。

  https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12

led需求大增 三菱化学扩大GaN基板产能

现在正在进行扩建施工,新的生产线计划在2015年内投入运转。三菱化学增产GaN基板的原因是,用于照明和汽车头灯等的高功率led的需求扩大。

  https://www.alighting.cn/news/20150702/130568.htm2015/7/2 9:18:53

三菱化学拟扩增led用GaN基板产能至2倍

因照明用led需求大增,三菱化学(mitsubishi chemical)计划于2014年初将led用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍,以藉此满足顾客端强劲的需求。

  https://www.alighting.cn/news/20130311/112791.htm2013/3/11 10:34:23

晶圆键合:选择合适的工艺来制造大功率垂直led

具有垂直结构的发光二极管(led)在固态照明产品应用中是非常有前景的一种器件,因为它们可以承受大的驱动电流来提供高的光输出强度。制造这种形式的led 需要采用晶圆- 晶圆间的键

  https://www.alighting.cn/resource/20111202/126822.htm2011/12/2 17:59:24

中美矽晶收购日亏损晶圆厂 实现获得产能方案

日本covalent materials公司是由东芝陶瓷于2006年通过mbo收购而来。该公司于2012年3月底将连续营业亏损、业绩陷入困境的硅晶圆业务(covalen

  https://www.alighting.cn/news/20121206/112655.htm2012/12/6 10:00:33

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