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在夏威夷毛伊岛举行的第十二届movpe大会上， GaN基材料和器件成为讨论的热点。
https://www.alighting.cn/news/20040927/102750.htm2004/9/27 0:00:00
外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件，预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。
https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12
现在正在进行扩建施工，新的生产线计划在2015年内投入运转。三菱化学增产GaN基板的原因是，用于照明和汽车头灯等的高功率led的需求扩大。
https://www.alighting.cn/news/20150702/130568.htm2015/7/2 9:18:53
因照明用led需求大增，三菱化学(mitsubishi chemical)计划于2014年初将led用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍，以藉此满足顾客端强劲的需求。
https://www.alighting.cn/news/20130311/112791.htm2013/3/11 10:34:23
在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长GaN材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
ccs-mocvd系统生长了inGaN/GaN mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长GaN缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
以GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127977.htm2010/7/12 18:02:38
以GaN为代表的iii-v族化合物及其三元、四元系材料因其良好的物理、化学性质被广泛的应用于光电和微电子器件，如照明和颜色显示的白光或彩色led，可用于信息存储和激印的蓝紫光激光
https://www.alighting.cn/news/20090803/91211.htm2009/8/3 0:00:00
讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长GaN过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
为了提高led芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ito芯片的led，GaN基白光led中如果用ito替代ni/au作为p型电极芯片的亮度要比采
https://www.alighting.cn/resource/20090224/128667.htm2009/2/24 0:00:00
