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m波长的led器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水准。 四、倒装芯片技术 通过mocvd 技术在兰宝石衬底上生长GaN基led结构层,由p/
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
发 光 原 理led作为第四代固体照明光源,有着极其广泛的应用前景.一.发光原理发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物.如gaas、gap、gaasp/gaalas、ingaalp、GaN
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229893.html2011/7/17 23:02:00
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
方的护理疗程，更能体验世外桃源般的独特享受：在世界顶级的spa馆，将印度洋的风光尽收眼底。在这里还能乘坐快艇前往GaN岛，还有脚踏车共游客骑乘前去探访周边5座由长17公里的公路相
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2013/8/27/324643.html2013/8/27 15:47:57
件事情,因为一旦技术获得突破,外延生长成本和器件加工成本将大幅度下降。si片作为GaN材料的衬底有许多优点,如晶体质量高,尺寸大,成本低,易加工,良好的导电性、导热性和热稳定性等。然
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
膜,这就很难避免晶格匹配这个大问题。一般都是在蓝宝石衬底上先生长氮化物的缓冲层,然后再异质外延inn薄膜,研究显示,GaN缓冲层上生长的inn薄膜比较理想。mbe技术生长可以精确控
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
导体材料氮化镓基(GaN)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品，王怀兵博士时任副总经理，负责关键材料外延片的研发及生产，该项目后被列为国家火炬计划、深圳市重点建设高新技术项
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05
. fred schubert 從事有關氮化鎵(GaN)半導體之材料與元件，特別是發光二極體(led)與固態半導體照明(ssl)的研究;後隨prof. schubert轉校到壬色列理
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/24/315491.html2013/4/24 21:37:00
部(项目投资额1.5亿元)，开发和生产第三代半导体材料氮化镓基(GaN)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品，王怀兵博士时任副总经理，负责关键材料外延片的研发及生产，该项目后被列
http://blog.alighting.cn/wanghuaibing/archive/2013/4/25/315572.html2013/4/25 17:20:51
有研稀土 夏天 摘要：本文研究了由GaN基蓝光芯片和不同颜色荧光粉组成的三个白光led系统，提出了改善白光led显色性的解决方案。研究结果表明，在蓝光led芯片与黄粉系统中，在一
http://blog.alighting.cn/17230/archive/2013/5/25/317940.html2013/5/25 12:29:01
