站内搜索
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(LED)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
近两年来美国、韩国、中国台湾等海外芯片企业加速进入中国大陆市场,且我国LED外延、芯片企业数量的快速增长，产能扩张，国内芯片企业面临如何发展核心技术、在市场中立足、崛起的考验。
https://www.alighting.cn/news/2011810/n137033791.htm2011/8/10 8:31:43
随着芯片市场的国际化发展趋势，激烈的市场竞争也随之而来。近两年，美国、韩国、中国台湾等海外芯片企业加速进入中国大陆市场，且我国LED外延、芯片企业数量的快速增长，产能扩张，国内芯
https://www.alighting.cn/news/20130913/88233.htm2013/9/13 16:06:48
“对于芯片厂来说，竞争从来就是国际化的。”一位业内人士接受记者采访时感慨道，近两年来美国、韩国、中国台湾等海外芯片企业加速进入中国大陆市场，且我国LED外延、芯片企业数量的快速增
https://www.alighting.cn/news/20110810/90181.htm2011/8/10 10:28:26
早期在小积体电路时代，每一个6寸的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi，每一个8寸的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动辄投资数百亿，但却是所
https://www.alighting.cn/resource/20170117/147667.htm2017/1/17 14:00:39
早期在小积体电路时代，每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿，但却是所
https://www.alighting.cn/resource/20091013/128998.htm2009/10/13 0:00:00
早期在小积体电路时代，每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi，每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。
https://www.alighting.cn/news/20091015/V21208.htm2009/10/15 10:06:19
微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高LED器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法,为gan-LED外
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
江门奥伦德外延部厂长翁叶华表示，目前5条高亮氮化镓基LED外延片生产线已成功验收，2条LED外延片生产线正式投产，1条正调试生产高端产品，2条生产线备产，公司将会根据市场的需求适
https://www.alighting.cn/news/20110810/115407.htm2011/8/10 10:17:38
外延片是整个LED产业链的最上游环节。作为LED的“心脏”，外延片是制造芯片的主要原材料。
https://www.alighting.cn/news/20140708/110948.htm2014/7/8 9:16:33
