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蓝光led光子晶体技术原理及制程详解

为回避日亚化学的蓝光led 加萤光粉制技术专利,各业者纷纷投入其它能达到散发出白光的led 技术,目前最被期待的技术是利用uv led 来达到白光的目的,但是,uv led 仍

  https://www.alighting.cn/resource/20131126/125078.htm2013/11/26 16:34:31

宽禁带半导体sic和zno的外延生长及其掺杂的研究

作为第三代宽禁带半导体材料,sic和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。sic具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方

  https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15

led用硅酸盐红色荧光粉的发展现状

展现状。硅酸盐基质红色荧光粉因其化学稳定性和热稳定性好、激发范围宽、发射峰强等优点在led用红色荧光粉中占有重要的地

  https://www.alighting.cn/2013/3/18 11:09:07

led蓝宝石衬底研磨三部曲

led芯片研磨制程的首要动作即“上腊”,这与硅芯片的cmp化学研磨的贴胶意义相同。将芯片固定在铁制(lapping制程)或陶瓷(grounding制程)圆盘上。先将固态蜡均匀的涂

  https://www.alighting.cn/resource/20120918/126383.htm2012/9/18 17:17:39

mbe低温生长gaas在器件应用上的回顾与新进展

在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09

纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式oled的研究

采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜11

  https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05

白光led封装的四大趋势走向

日亚化学的nakamura等首次使用蓝光led结合黄色荧光粉转化合成了白光led.他所采用的黄色荧光粉为y3al5o12:ce3+(简称yag:ce3+),这种荧光粉在470n

  https://www.alighting.cn/resource/20110902/127213.htm2011/9/2 9:47:01

设备厂veeco:今年景气好 无供过于求疑虑

led晶粒缺货持续延烧,除原本金属有机物化学气相沉积(mocvd)机台大缺之外,业界又掀起三缺之说,包括蓝宝石基板、化学源以及人才通通都缺,同时,在终端市场包括tv与监视器的le

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/127996.htm2010/7/12 16:35:00

美科学家成功制造255nm紫外发光二极管

p bonding)能将功率等级提高3到5倍。此波段的极深紫外光(ultradeep ultraviolet, uduv)光源未来可能取代水银灯泡,作为生物与化学传感器的激发光

  https://www.alighting.cn/resource/20041101/128434.htm2004/11/1 0:00:00

白光oleds取得新进展

在863计划新材料领域“半导体照明工程”重大项目的支持下,最近由中国科学院长春应用化学研究所马东阁研究员领导的研究小组承担的“照明用有机电致发光材料与器件研究”课题(课题编

  https://www.alighting.cn/resource/20070520/128498.htm2007/5/20 0:00:00

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