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得重要突破。核心器件的发光效率与应用产品的质量达到国际同期先进水平。大型MOCVD装备、关键原材料实现国产化，检测设备国产化率达70％以上。建立具有世界先进水平的研发、检测平台和标
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/2/21/309848.html2013/2/21 9:40:54
达124亿美元，较2012年成长12%，但整体led产业供大于求在短期内无法解决。加之近两年国内外企业过度在中国投资led芯片生产过程中最关键的设备MOCVD，不难推测出中国le
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/20/309799.html2013/2/20 8:23:20
计相较于2010年环球led照明渗入渗出率约达3%，2011年led照明渗入渗出率可望到达6~10%。上游MOCVD机台到2011年将有5倍的增加，必将引来15倍的产能扩大。而背光
http://blog.alighting.cn/singnice/archive/2013/1/30/309089.html2013/1/30 20:48:33
盟(csa)统计，目前国内led外延芯片企业超过60家，已到位的MOCVD设备数量约1000台，已成为MOCVD机台数量最多的地区。但由于调试过程、工艺、人员、专利、市场需求等原
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/30/309059.html2013/1/30 15:29:19
档领域。国产芯片尽管售价仅为进口芯片的1/10，但占国内市场不足10%。除此之外，高亮度功率型led芯片、器件80%以上均依赖进口。外延生产用关键设备MOCVD和外延片衬底、封装
http://blog.alighting.cn/singnice/archive/2013/1/28/308869.html2013/1/28 22:19:21
备MOCVD进行补贴且力度也最大，“(led 上游芯片)从2009 年供不应求到了2010 年基本供求平衡，2011 年出现供过于求，到2012 年已经严重供过于求。”一位业内人
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/1/23/308417.html2013/1/23 10:30:34
产，已达到规模效应，目前公司MOCVD设备达140余台，数量方面步入国际前列，然技术方面仍存较大差距，2011年公司通过海外研发投入及大批量人才引进，快速提升公司在MOCVD的关键技
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/16/307933.html2013/1/16 18:07:02
d上游设备MOCVD进行补贴且力度也最大，“(led上游芯片)从2009年供不应求到了2010年基本供求平衡，2011年出现供过于求，到2012年已经严重供过于求。”一位业内人
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/16/307932.html2013/1/16 18:03:19
要集中在 can基led外延材料与芯片、高效高亮度大功率led器件、led功能性照明产品、智能化照明系统及解决方案、创新照明应用及MOCVD(金属有机物化学气相沉积设备)等重大装备开
http://blog.alighting.cn/56721/archive/2013/1/14/307625.html2013/1/14 11:34:38
种材料搭配不当会引发损耗，降低芯片性能;其次还有高温生产的工艺问题。为了解决这些难题，研发小组开发出一套新的制造流程。这套流程其实是对“金属有机化合物化学气相沉淀”(mocv
http://blog.alighting.cn/fangke/archive/2013/1/11/307063.html2013/1/11 9:46:47
