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采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和P衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到P衬底中而结合成siPn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
常见光源包括mr16、mr11、cdm-t、cdm-tc、qr111、Par30l、Par20l、Par30s、cdm-tm等的配光曲线参数一览。
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/2/15377_86.htm2012/3/2 15:37:07
约可以取代16w的普通荧光灯式吸顶灯，所以可以节电8w。假定平均每天开灯3小时，那么每年可以节电8760度电，相当于减排2382.72公斤二氧化
https://www.alighting.cn/2011/12/30 13:56:11
利用at89s52 作为主控制芯片， 给出简单实用的外围电路来驱动16*16 的点阵led 显示屏的设计方案，包括系统具体的硬件设计方案和各个外围电路部分的设计等方面。
https://www.alighting.cn/2011/11/21 17:35:43
本设计主要实现led显示屏随着环境光改变其亮度,以避免白天显示不清或黑夜因太亮而炫目;并与上位机进行通信.本系统由msP430f169单片机、16＊32共阳极led点阵显示屏、
https://www.alighting.cn/2011/11/15 12:35:20
目前,在打造节能环保的低碳经济思绪下,全球led产业的“蛋糕”正疾速做大。以后led运用面也在一直扩张,“以技术求市场”成为众多led企业开展的中央能源。基于此,本文献介绍了led
https://www.alighting.cn/resource/20111031/126943.htm2011/10/31 14:22:31
利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
一般照明系统：mr16灯泡和利用triac调光器的led灯；内容：一、市场情况；二、利用triac调光器调控灯光亮度的led替代灯；1、传统的triac调光器的工作原理；2、利
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/24/141915_37.htm2011/10/24 14:19:15
本文采用cu靶和al靶直流共溅射法制备出P型透明导电cu-al-o薄膜,用原子力显微镜(afm)、x射线衍射(xrd)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计等测试手段对沉积的薄
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02
宽带隙的gan作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。P型gan的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率gan基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
