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将硅衬底上外延生长的氮化镓基LED 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光LED 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
大功率LED灯有很多优点，而LED驱动电路对LED非常重要，LED驱动和调光是目前研究的热点。针对目前LED驱动电路的不足，设计了一种新颖的LED驱动电路，该电路以单端反激式开
https://www.alighting.cn/resource/20131028/125185.htm2013/10/28 14:16:48
一份关于蓝宝石衬底的详细介绍，现在分享给大家，欢迎各位下载附件，查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:05:11
一份关于介绍《基于icl8002g的高效率LED调光方案》的讲义技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/5/29 10:30:53
采用在aln缓冲层后原位沉积Sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(LED)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
本文的主要研究内容涉及图形化衬底对gan基LED发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
这篇文章从灯具及驱动器的设计2个方面提出降低大功率LED灯温升及温控的方法和技术，有效降低和限制了大功率LED灯的温升。
https://www.alighting.cn/resource/20110727/127388.htm2011/7/27 14:47:26
料的LED芯片，则使用蓝宝石、Sic和Si等作为基板，如果是红色LED等采用alingap类材料的LED芯片，则使用 gaas等作为基
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40
为避免因封装不良带来的可靠性问题而影响对老化机理的判断，本样品不灌胶，目的是仅仅研究芯片本身的可靠性。
https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:15:20
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
