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罗姆株式会开发出实现业界最小※正向电压(vf=1.35v)的第二代SiC(silicon carbide：碳化硅)肖特基势垒二极管“scs210ag/am”(600v/10
https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31
迪思科高科技把在硅晶片单片化及低介电率(low-k)膜开槽工艺中培育起来的激光切割技术经验用到了led上，在高亮度led用晶片的激光切割设备市场上获得了较高的份额。
https://www.alighting.cn/news/20120601/113445.htm2012/6/1 11:13:18
今年，随着硅衬底技术的不断发展，SiC、蓝宝石、硅这三种不同的led芯片衬底技术路线早已摆开阵势，以高技术含量与低成本为噱头，展开激烈交锋。在这场技术大战中，谁会成为赢家，最终主
https://www.alighting.cn/news/20120521/89252.htm2012/5/21 13:36:20
内置电源的另一个最大缺点是寿命低。因为电源必须放在铝管里，所以铝管不可能做成鳍片的形式，而只能是普通的半圆柱型，顶多在表面上加上一些很浅的条形沟槽（图4）， 图4 中空铝管的
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274792.html2012/5/16 21:32:04
样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274714.html2012/5/16 21:27:45
如今，SiC、蓝宝石、硅这三种不同的衬底技术路线，哪种在成本和性能上更具优势？如果越来越多的公司开始量产硅衬底，是否会对SiC与蓝宝石这两种技术路线形成冲击?不同的技术路线，国
https://www.alighting.cn/news/20120516/89190.htm2012/5/16 9:49:09
能是普通的半圆柱型，顶多在表面上加上一些很浅的条形沟槽（图4）。 图4中空铝管的半塑半铝的led日光灯灯管 这种半圆柱的表面积为：2πr*h/2=πr*h。对于t8灯管来说，它的直
http://blog.alighting.cn/www.nengzhaoled.com/archive/2012/4/26/273059.html2012/4/26 15:52:24
天富热电(600509)业务可分为稳定增长、扎根新疆的主营业务和技术含量高、发展空间大的投资业务。
https://www.alighting.cn/news/20120425/113851.htm2012/4/25 10:32:24
采用β-ga2o3制作基板时，可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法，这也是其特点之一，
https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04
与SiC和gan相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
