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硅衬底取得突破性进展，SiC衬底芯片光效快速提升，而蓝宝石衬底因产能过剩价格下跌而备显竞争力。2012，衬底也疯狂。新世纪led网评测室特对led衬底2012年三雄逐鹿天下的历
https://www.alighting.cn/pingce/20121230/123355.htm2012/12/30 17:15:32
led芯片的生产通常是使用昂贵的蓝宝石基片在2至4英寸的晶圆上完成。东芝与bridgelux, inc.已经开发出一种在200mm硅晶圆上制造氮化镓led的工艺，而东芝目前已将
https://www.alighting.cn/pingce/20121217/121992.htm2012/12/17 9:42:51
出的mb39c601 led驱动芯片可支持可控硅调光的ac/d
https://www.alighting.cn/pingce/20121210/n805846707.htm2012/12/10 16:01:11
https://www.alighting.cn/pingce/20121210/122048.htm2012/12/10 14:16:56
科锐公司推出首款商用全碳化硅功率模组，再次彰显其碳化硅功率技术的优异性能与可靠性。新型高频率模组额定电流100a，额定阻断电压1200v，可实现更高效、更小尺寸及更轻重量的系
https://www.alighting.cn/pingce/20121119/123045.htm2012/11/19 10:44:36
及工业照明应用而设计。新推出的lytswitch? ic产品系列能够在灯管替换应用和高棚灯照明中实现精确稳压和高效率，同时在可控硅调光灯泡应用中提供出色的性
https://www.alighting.cn/pingce/20121115/123336.htm2012/11/15 18:00:12
科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2，引起vf偏移的基面位错容量小于0.
https://www.alighting.cn/pingce/20120920/122664.htm2012/9/20 9:45:34
目前使用量最大的led芯片是蓝宝石衬底，但有一个例外是美国的cree使用碳化硅当衬底。在照明市场开发的下一个阶段，市场需要的是成本够低，高电流的芯片设计。可能蓝宝石衬底的led芯
https://www.alighting.cn/pingce/20120912/123068.htm2012/9/12 10:28:23
美国科锐公司(cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4h的n型SiC外延晶圆，此次开发的晶圆厚100μm，可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。
https://www.alighting.cn/pingce/20120905/122279.htm2012/9/5 11:54:18
计自动化工具)，以实现科锐碳化硅衬底氮化镓 mmic 加工性
https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18
