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稳压二极体和led的搭配

led( light emitting diode,发光二极)的光电转换效能高,其本结构是一块电致发光的半导体晶体,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,作为保护内

  https://www.alighting.cn/resource/20090323/128849.htm2009/3/23 0:00:00

半导体发光二极芯片测试方法

led 芯片测试方法还没有相应的标准,这样led芯片作为产品交货时,缺乏相应的技术要求来规范产品的质量等级和性能要求。

  https://www.alighting.cn/2012/5/7 11:07:07

宽禁带半导体SiC和zno的外延生长及其掺杂的研究

作为第三代宽禁带半导体材料,SiC和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。SiC具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方

  https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15

牺牲ni退火对硅衬底gan发光二极p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

SiC外延晶圆产能提高到2.5倍

昭和电工宣布,将功率半导体器件用4英寸SiC外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55

具有au/moo_3空穴注入层的有机发光二极

研究了单层moo3(5nm)和复合au(4nm)/moo3(5nm)hils对oleds器件性能的影响,器件结构为ito/hil/npb(40nm)/alq3(60nm)/lif(

  https://www.alighting.cn/2013/2/1 11:48:11

gan不同电极形状的led性能比较

对前期工作中使用crosslight apsys软件模拟的6种优化电极的ganingan/gan多量子阱蓝光led芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进

  https://www.alighting.cn/2011/12/6 16:52:22

白光发光二极驱动解决方案的非常战争

白光发光二极驱动解决方案的非常战争

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V12322.htm2007/2/8 10:53:50

led护栏灯二极封装结构及技术

led护栏灯二极封装结构及技术

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V12333.htm2007/2/8 11:15:51

用万用表检测发光二极led的方法

普通发光二极的万用表检测方法

  https://www.alighting.cn/resource/2012/1/11/95012_61.htm2012/1/11 9:50:12

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