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压的大小有关。晶片的工作电流在10-20ma左右。 d、逆向电压（VR）：施加在晶片上的反向电压。 e、逆向电流（ir）：是指晶片在施加反向电压后，所产生的一个漏电流。此电流越小越
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120887.html2010/12/14 21:52:00
为： 其中，vin是输入供电电压；vdo是输入和输出的电压差异；VR是电阻器两端的检测电压；vor是串联的所有led的额定输出电压；vf是标准的单个led导通电
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133818.html2011/2/19 23:13:00
细展示了一类ccfl驱动器。镇流(或次级)电容c2由次级到初级反向工作，可降低ccfl启动和输出电流开始增大时ccfl上的电压。启动电压(vs)、ccfl上的电压降(VR)以及次
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133820.html2011/2/19 23:14:00
照要求通断的电子开关s的通断作用。在s开通时电源vdd给电感l储能，s关断后l上的电压极性反转与电源电压vf相叠加来得到满足led工作时要求的电流值if和电压值 VR，通过电流负反
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133836.html2011/2/19 23:22:00
好的。 4) esd被损坏的设备能显示出暗淡，模糊，熄灭，短的或低vf或VR。esd被损坏的设备不应不电子过载相混淆，如：因错误的电流设计或驱动，晶片挂接，电线屏蔽接地或封装，或普
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179840.html2011/5/20 0:19:00
f的大小,与顺向电压的大小有关。晶片的工作电流在10-20ma左右。d、逆向电压(VR)：施加在晶片上的反向电压。e、逆向电流(ir)：是指晶片在施加反向电压后,所产生的一个漏电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230084.html2011/7/18 23:24:00
言，被驱动的led数目为：其中，vin是输入供电电压；vdo是输入和输出的电压差异；VR是电阻器两端的检测电压；vor是串联的所有led的额定输出电压；vf是标准的单个led导通电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230158.html2011/7/19 0:15:00
压(vs)、ccfl上的电压降(VR)以及次级电容上的电压降(vc)这三者之间的关系为vs2=VR2+ vc2。次级电容值取决于输出电流和输出频率。增大电容值可增加输出电流并降低频
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230160.html2011/7/19 0:17:00
关断后l上的电压极性反转与电源电压vf相叠加来得到满足led工作时要求的电流值if和电压值 VR，通过电流负反馈作用(由r0进行电流取样)，使得流过led的电流if稳定在一定的范围
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230288.html2011/7/19 23:42:00
f （forward voltage）或 VR（reverse voltage）等现象。以submount技术突破瓶颈为了突破这些ingan led瓶颈，camd公司提出一项特殊的解决方
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232808.html2011/8/19 0:16:00
