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led晶圆激光刻划技术

激光刻划led刻划线条较传统的机械刻划窄得多,所以使得材料利用率显著提高,因此提高产出效率。另外激光加工是非接触式工艺,刻划带来晶圆微裂纹以及其他损伤更小,这就使得晶圆颗粒之

  https://www.alighting.cn/2011/10/21 14:33:06

allos推新型基氮化镓外延产品,具有超过1400v的击穿电压

来自电子、微电子及纳米技术研究院 (iemn)的最新结果显示,allos即将推出的适用于1200v器件的基氮化镓外延产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29

led相关材料入选新材料“十二五”重点产品

工业和信息化部在其网站发布了《新材料产业“十二五”发展规划》(以下简称《规划》)。《规划》对新材料产业的发展现状和趋势、总体思路、未来发展重点、区域如何布局、“十二五”期间组织实施

  https://www.alighting.cn/news/20120228/109426.htm2012/2/28 18:46:39

采钰科技发表8寸外延级led基封装技术

采钰科技股份有限公司(visera technologiescompany)昨(16)日宣布发表专属之8寸外延级led基封装技术,并以此项技术提供高功率led之封装代工服

  https://www.alighting.cn/news/20090917/94618.htm2009/9/17 0:00:00

【alls视频】李豫华博士:led在基板上封装之创新技术

2010年6月10日,“亚洲led照明高峰论坛 -- led器件及系统配套—封装、驱动、电源、控制系统”专题分会在广州琶洲展馆b区8号会议厅南厅举行。来自台湾采钰科技有限公司晶圆

  https://www.alighting.cn/news/20110725/109224.htm2011/7/25 15:30:42

科锐宣布扩产计划进展,将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂

9月23日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – 作为碳化SiC)技术全球领先企业的科锐宣布计划在美国东海岸创建碳化SiC)走廊,建造全球最大的碳化SiC)制造工厂。

  https://www.alighting.cn/news/20190924/164226.htm2019/9/24 13:33:07

十年磨一剑 中国led衬底技术取得突破性进展

在led行业中,我国自主创新的衬底led技术被誉为继碳化(SiC)led技术、蓝宝石衬底led技术之外的第三条技术路线,其打破了日本和欧美led厂商形成的牢固的专利壁垒,拥

  https://www.alighting.cn/news/201467/n323862863.htm2014/6/7 11:30:20

采钰科技李豫华博士:《led在基板上封装之创新技术》

2010年6月10日,“亚洲led照明高峰论坛 -- led专利、标准与检测"专题分会在广州琶洲展馆b区8号会议厅南厅举行。来自台湾采钰科技有限公司晶圆级led封装技术高级工程师

  https://www.alighting.cn/news/20110612/109084.htm2011/6/12 15:56:47

科锐开发出直径150mm的n型4h-SiC外延晶圆

美国科锐公司(cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4h的n型SiC外延晶圆,此次开发的晶圆厚100μm,可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120905/122279.htm2012/9/5 11:54:18

cree同意Wolfspeed出售给英飞凌 美国外国投资委员会可能不批准!

d”)的信息,其中包括碳化衬底 业务为电源,rf和宝石应用,到英飞凌科技股份公司(fse:ifx / otcqx:ifnn

  https://www.alighting.cn/news/20170210/148004.htm2017/2/10 10:07:09

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