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内容概要：led外延芯片的发展现状；led核心技术的发展趋势；垂直薄膜型led芯片研发现状。
https://www.alighting.cn/2014/2/28 11:00:27
led芯片检测在led 生产过程中起到关键作用。为了达到生产过程完全自动化的目的，首先用形态学方法对led 图像选行预处理，然后基于最小外接矩形获取在片倾斜角，基于霍夫变换获取边
https://www.alighting.cn/resource/2014/2/21/19304_93.htm2014/2/21 19:30:04
https://www.alighting.cn/2014/2/20 12:11:14
led路灯光衰的关键问题在于温度，偏偏led路灯通常又败在这个环节。led路灯由于发光功率大于家用灯具，因此厂商在散热基板鳍片、散热模块的设计上费尽苦心，组装完毕需在灯具散热模
https://www.alighting.cn/resource/2014/2/11/135550_31.htm2014/2/11 13:55:50
通过世界专利索引数据库(dwpi)对mocvd设备专利进行全面检索，然后进行人工标引，剔除不相关专利，经过引证、权利要求项、诉讼等指标的筛选，对aixtron的喷淋头结构技术和ve
https://www.alighting.cn/2014/1/8 10:30:41
出不穷。2013年我国半导体照明产业无论上游外延芯片、中游封装还是下游应用增速都明显高于2012年水平，出口大幅增加;同时2013年也竞争加剧的一年，产业整合持续深化，行业格局调整
https://www.alighting.cn/resource/2014/1/2/1561_55.htm2014/1/2 15:06:01
本文依次分析了led的上、中、下游的技术现状，做了详细解说，并分析了led在未来的发展趋势。
https://www.alighting.cn/2013/12/30 10:10:52
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
