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样，高亮度led也未能摆脱众多家庭和应用中常见的三端双向可控硅(triac) 调光器。本文将介绍一种具成本优势的高亮度led (hb led) 调光方
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125646.htm2013/5/6 15:13:18
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了siled发
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转移
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
本文提出了一种基于mems的led苍片封装技术，利用体硅工艺在硅基上形成的鲫槽作为封装led芯片的反射腔。分析了反射腔对libel)的发光强度和光束眭能的影响，分析结果表明废反射
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125825.htm2013/3/25 11:15:34
本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄膜
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
作为全球照明工具的先驱，白炽灯逐渐被新一代照明工具发光二极管(led)取代，正逐步淡出人们的生活。过去几年来，led的颜色种类、亮度和功率都发生了极大变化。作为新型高效固体光源，l
https://www.alighting.cn/2013/3/6 9:44:32
研究了氮化铝薄膜对 led 灯散热情况的影响,并与导热硅脂(ks609)涂层的散热效果进行了比较, 结果表明：导热涂层能加强 led 的散热,氮化铝薄膜散热效果优于导热硅脂；对红
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125968.htm2013/3/4 13:53:37
大功率led 的发卡路里比小功率led高数十倍以上，并且温升还会使闪光速率大幅下跌。具体内部实质意义作别是：减低芯片到封装的热阻抗、制约封装至印刷电路基板的热阻抗、增长芯片的散热顺
https://www.alighting.cn/2013/2/27 11:06:09
