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为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的gan基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅gan基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分析了光
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了siled发
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
一份由潘述栋整理的《led晶片认识》，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/3/18 10:16:45
一份介绍led芯片制程与设备环境的资料，作者是薛水源。现在分享给大家，欢迎各位下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/3/14 10:02:24
led产业对大陆厂商而言，已告别高毛利时代，如何保持和扩大自身获利，是厂商眼前的问题。整体而言，「竞争与合作、降价与提升企业利润」将是2013年大陆led产业发展的主旋律;而产业链
https://www.alighting.cn/resource/20130107/126199.htm2013/1/7 9:34:28
为准确把握广东led芯片发展情况，探讨led产业持续发展的方向.本文将从广东led芯片的产业化、企业、产品.技术等方面分析其发展的主要特点，从技术发展路径和区域优势探寻其发展趋势。
https://www.alighting.cn/2012/12/7 17:01:15
本文转载自新世纪led论坛一篇研究报告，文中详述了中国led衬底材料市场调研及投资发展前景，极尽细致详尽。推荐给业内人士参考。
https://www.alighting.cn/2012/12/4 15:27:54
晶长膜领域中，要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合，基于发光元件高辉度要求，不断增大发光元件的发光面积，随着该面积变大，消费电力也随着急遽暴
https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00
led芯片研磨制程的首要动作即“上腊”，这与硅芯片的cmp化学研磨的贴胶意义相同。将芯片固定在铁制(lapping制程)或陶瓷(grounding制程)圆盘上。先将固态蜡均匀的涂抹
https://www.alighting.cn/resource/20120918/126383.htm2012/9/18 17:17:39
mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源流
https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34
