检索首页
阿拉丁已为您找到约 19110条相关结果 (用时 0.0139003 秒)

用氧化镓制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色[1]

与sic和gan相比,β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下

  https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25

ngc9810高效高顶灯

cngc9810高效高顶灯ngc9810高顶灯,ngc9800,ngc9830,nfc9850,ngc9860 防爆高效顶灯,无极烦灯,防眩顶灯,长寿顶灯,高亮度顶灯 一、概

  http://blog.alighting.cn/tcyjiayou/archive/2010/9/8/95596.html2010/9/8 14:17:00

基于mems的led芯片封装光学特性分析

本文提出了一种基于mems的led苍片封装技术,利用体硅工艺在硅基上形成的鲫槽作为封装led芯片的反射腔。分析了反射腔对libel)的发光强度和光束眭能的影响,分析结果表明废反射

  https://www.alighting.cn/resource/20130325/125825.htm2013/3/25 11:15:34

北美市场cfl的比例仍高 led品质要求高

最近市场上针对美国消费者的研究发现,尽管led灯照明品质高,只需要耗费传统灯泡75%的电力且寿命长达25年,仍有75%的试用者最终选择紧cfl,而只有25%的人选择使用led灯。

  https://www.alighting.cn/news/2012829/n558342809.htm2012/8/29 9:47:35

ngc9810高效高顶灯

ngc9810高效高顶灯 一、概况 : cngc9810高效高顶灯,满足铁路、电力、冶金、及各类厂区、场站和大型设施、场馆等场所高效照明的需求。 二、性能特

  http://blog.alighting.cn/wuying/archive/2009/3/11/13259.html2009/3/11 9:14:00

[转载]从灯具技术要求看高功率led室内照明的发展

片的发展   目前,led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化镓等新材料。无论是面向重点照明和整体照明的高功

  http://blog.alighting.cn/szwdkgroup/archive/2011/4/1/146127.html2011/4/1 22:46:00

硅格、菱生和久元q3 财报均优于预期

硅格单季度合併营收12.82亿元新台币,较q2 的13.31亿元小幅衰退3.7%,符合市场预期,单季度税前净利3.18亿元,每股税前盈餘0.96元,累计前3季度税前净利为9.7

  https://www.alighting.cn/news/20101009/96338.htm2010/10/9 0:00:00

艾笛森光电发表全新edixeon? 系列模组

高功率led封装厂-艾笛森光电发表全新edixeon® federal系列模组。

  https://www.alighting.cn/news/20090701/91420.htm2009/7/1 0:00:00

普瑞与东芝研发8英寸硅基氮化镓led芯片实现突破

议短短几个月后,两家公司共同研发出了行业顶级8英寸硅基氮化镓led芯

  https://www.alighting.cn/pingce/20120521/122494.htm2012/5/21 15:07:16

硅基热沉大功率led封装阵列散热分析

本文对基于硅热沉的大功率led 封装阵列进行了热模拟,同时结合传热学基本原理分析计算了各部分的热阻,然后,对实际工艺制备出的封装器件的结温进行了测量。结果表明,理论计算值与仿真结

  https://www.alighting.cn/2015/2/5 11:08:11

首页 上一页 98 99 100 101 102 103 104 105 下一页