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型gaN：mg淀积厚度大于500a的Niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出N型层；第三步，淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1×
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00
h）异质结led相对于同质结led来说，其p区和N区有带隙不同的半导体组分。在异质结中，宽带隙材料叫势垒层，窄带隙材料叫势阱层。只有一个势垒层和势阱层的结为单异质结（sh），有两个势
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115032.html2010/11/18 16:39:00
1、什麼是led的结温？ led的基本结构是一个半导体的p—N结。实验指出，当电流流过led元件时，p—N结的温度将上升，严格意义上说，就把p—N结区的温度定义为led的结温。通
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114858.html2010/11/18 0:31:00
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00
结.因此它具有一般p-N结的i-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性.此外,在一定条件下,它还具有发光特性.在正向下,电子由N区注入p区,空穴由p区注入N区.进入对方区域的少
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114817.html2010/11/17 22:54:00
一、led连接电路的常见形式1．串联：这种电路需要电源提供较高的电压。 v总=各led的vf之和=vf1+vf2+vf 3+vf 4------+vf N i总=单颗led的if
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114808.html2010/11/17 22:44:00
中N按（7-1）计算例：一个额定输出电流为dc 0.35a，额定功率为10w电源，驱动耗散功率为70mw，正向电流为0.02a的led，可怎样配置？依以上公式可以得出 并联支数
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114807.html2010/11/17 22:43:00
而奠定了其在社会经济发展过程中的显著地位。一个事物的结果是由N个因素决定的，这就是多维的基本内涵，而一个区域的社会经济发展也离不开各种客观因素为导向的促进与深入，只要是N个因素都具
http://blog.alighting.cn/lixiaofeng0818/archive/2010/11/17/114725.html2010/11/17 16:17:00
低压led光源适应电子变器纪录----本文只做我工作的总结与纪录，他人资料会注明出处1. 快速整流管,多用肖特基二极管-1N5819，ss14、ss24（低压降与快速度）。2
http://blog.alighting.cn/mayertank/archive/2010/11/13/113919.html2010/11/13 16:45:00
龙 abs 钢 sp比重 g/cm3 1.81 1.79 2.74 2.69 1.4 1.05 7.8 传
http://blog.alighting.cn/JINGCHENLIGHTING/archive/2010/11/12/113699.html2010/11/12 11:28:00
