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器接地连接。ｐｅ线接地应从近箱变第一基照明灯柱起做起； 同杆架设的高压线路与路灯低压线路应保证适当间距，防止雷电压等高电压侵入低压线路。开关箱加装ｓｐｄ电涌保护器，并作好接地。
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268508.html2012/3/16 14:25:14
恒流。硬件电路如图2所示。r1是电流检测电阻，用来设定led负载电流，r2用来设定开关管的工作频率，本系统采用350ma电流、1mhz开关频率。d1采用快恢复肖特基二极管。dim引
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268472.html2012/3/16 13:39:07
压降的肖特基二极管，即能防止夜间蓄电池对太阳电池的反向充电，又提高了太阳电池的充电效率。 （２）光开关控制电路 图３为光开关控制电路，ｌｓ为光检测输入端，外接一个光敏电阻和一
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268451.html2012/3/16 13:12:05
备中的指示灯。直到20世纪90年代中期，在取得了第三代半导体材料GaN的技术突破以及蓝、绿、白光发光二极管问世后，led已能发出各种颜色的光束，尤其是高亮度白光led的出现具有划时
http://blog.alighting.cn/xiongzhiqiang/archive/2012/3/16/268406.html2012/3/16 9:49:29
车后部的高位刹车灯，90年代大功率led的工作电流达到50-70ma。 1995年，日本日亚化学工业公司成功开发出蓝光led后，世界上结束了没有原色蓝光的历史，在全球掀起了ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268378.html2012/3/15 21:58:25
如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极限。 lgainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37
底：层叠反射层在gap基led外延层上，键合导电支持衬底，剥离砷化鎵衬底。导电支持衬底包括，砷化鎵衬底，磷化鎵衬底，硅衬底，金属及合金等。另外，生长在硅片上的垂直GaN基led也
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪GaN(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268345.html2012/3/15 21:56:42
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268343.html2012/3/15 21:56:37
现，其中聚焦的主轴之一就是led照明。李明儒表示， 该公司已为磊晶合作伙伴开发出符合其规格所需的led驱动ic产品，不论在散热与输出功率上均有竞争利基，目前也已少量供货，预期可望成
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268334.html2012/3/15 21:56:10
